Other Parts Discussed in Thread: ISO1212EVM, ISO1212
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如何将 ISO1212EVM 的100V 输入修改为300V。 我参考的是显示 ISO1212EVM 原理图的图7。 Thx
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Other Parts Discussed in Thread: ISO1212EVM, ISO1212
如何将 ISO1212EVM 的100V 输入修改为300V。 我参考的是显示 ISO1212EVM 原理图的图7。 Thx
Dan、您好!
您希望输出切换的阈值电压是多少、系统的最大输入电压是多少?
您需要移除任何额定电压不足以达到足够高电压的组件(例如二极管)。
您可以将 C3和 C4的封装用于 RSHUNT。
然后、我们只需为您的系统确定 RSENSE、RTHR 和 RSHUNT 的电阻器值、并适当地填充它们。 您可以使用 本 TI 技术手册中的 Excel 工具 来确定电阻器值。 我更改了具有120V 阈值的240V DC 的值。
此致、
Dan
亚伯拉罕和丹、您好!
ISO1212及其 EVM 可使用齐纳二极管或 TVS 二极管、保险丝和其他典型保护元件进行保护。 在选择保护组件(例如齐纳二极管)时、请选择其安全电压、使其足够高、不会干扰正常运行、但足够低、能够保护系统。 在此示例中、齐纳电压为315V - 360V 的齐纳二极管就足够了、例如330V。
要在第1侧启用输出、请将 EN 引脚连接到 Vcc1、否则您可以将其保持悬空。 使用4.7kΩ Ω 电阻器将 EN 连接到 Vcc1将使输出保持可靠启用。 在 EVM 上、可通过将引脚1和2与跳线 J3相连来启用输出、如 EVM 用户指南中所示。
有关在100V - 300V 范围内以设置的60V 阈值进行输入电压调节的问题、请等待隔离团队下周的回复。 Dan Kisling 不在办公室、下周初将返回。
感谢你能抽出时间、
Manuel Chavez
您好、Abraham、
很抱歉耽误您的回答。
这些值看起来非常好。 我的一个问题是在模块输入端将看到多少电流。 使用我链接的文档中的计算器、我们可以看到以下内容:
|
输入变量 |
|
最小 |
典型值 |
最大 |
||
|
RSENSE (Ω Ω)(必须< 562) |
562. |
流经 ISO121x 的电流(mA): |
2.03 |
2.25. |
2.54. |
|
|
RTHR (μ kΩ) |
18 |
VIH (高阈值) V |
72.56. |
78.22. |
85.10. |
|
|
RSHUNT (μ kΩ) |
5. |
VIL (低阈值) V |
66.35. |
72.70 |
80.27. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
模块输入电压、VIN (VDC) |
300 |
所选输入电压(VIN)上的模块输入(IIN)电流(仅对 VIN>VIH 有效) |
13.48. |
13.53. |
13.60. |
|
|
模块输入端允许的最大电压(VIN_MAX) V |
|
|
312.45. |
电流大约为几十毫安。 这意味着我们必须适当调整电阻器的大小。 只需查看阈值电阻器:它必须能够耗散~3.3W 的功率。
如果可能、最好是阈值电压约为输入电压的一半。
例如、如果我们需要300V 输入和150V 阈值、我们可以选择以下值:
|
输入变量 |
|
最小 |
典型值 |
最大 |
||
|
RSENSE (Ω Ω)(必须< 562) |
560 |
流经 ISO121x 的电流(mA): |
2.03 |
2.26. |
2.55. |
|
|
RTHR (μ kΩ) |
56. |
VIH (高阈值) V |
141.64 |
155.52. |
173.20 |
|
|
RSHUNT (μ kΩ) |
22. |
VIL (低阈值) V |
136.85. |
151.27. |
169.48. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
模块输入电压、VIN (VDC) |
300 |
所选输入电压(VIN)上的模块输入(IIN)电流(仅对 VIN>VIH 有效) |
4.42. |
4.48. |
4.57. |
|
|
模块输入端允许的最大电压(VIN_MAX) V |
|
|
326.53 |
如果我们需要具有60V 阈值的110V 输入、我们可以使用以下值:
|
输入变量 |
|
最小 |
典型值 |
最大 |
||
|
RSENSE (Ω Ω)(必须< 562) |
560 |
流经 ISO121x 的电流(mA): |
2.03 |
2.26. |
2.55. |
|
|
RTHR (μ kΩ) |
20. |
VIH (高阈值) V |
51.63. |
56.64 |
63.00 |
|
|
RSHUNT (μ kΩ) |
50 |
VIL (低阈值) V |
49.74. |
54.96. |
61.53. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
模块输入电压、VIN (VDC) |
110 |
所选输入电压(VIN)上的模块输入(IIN)电流(仅对 VIN>VIH 有效) |
3.02 |
3.18. |
3.39. |
|
|
模块输入端允许的最大电压(VIN_MAX) V |
|
|
124.64 |
请注意输入模块上的电流是如何显著降低的。
此致、
Dan
您好、Abraham、
图像被裁剪后、无法看到315V 二极管、但电阻器和60V 二极管确实出现在正确的位置。 我建议您选择大于60V 齐纳二极管电压的齐纳二极管、并为 Rth 和 Rshunt 选择能够耗散多瓦功率的功率电阻器。 如有必要、可在 SMD 封装中找到 Rth、如 SMF518KJT。
您想让我回顾一下显示315V 齐纳二极管的更大原理图吗?
谢谢、
Manuel Chavez
亚伯拉罕、大家好、
由于电阻器值是一个微不足道的更改、因此我将在此 主题上发布一个共享的更新系统原理图: 
电阻分压器的比率类似、但我需要确认这将保持我们预期的高电压兼容性和60V 阈值。 不建议拆下~60V 齐纳二极管以保护 ISO1212。 实际上、60V 齐纳二极管优于315V 齐纳二极管、因为它最靠近器件并可提供专用保护。
由于我认为我们没有指定此值、因此该测试中是否需要特定的瞬态或过压条件?
感谢您发帖到 E2E!
Manuel Chavez
您好、Abraham、
为清楚起见、下面是您的回答副本: 
正确整合了60V 齐纳二极管、使315V 齐纳二极管成为冗余二极管。 315V 齐纳二极管不是保护 IC 所必需的、但如果系统中有部分未显示、并且需要大于300V 的保护、它将非常有用。
对于5.6kOhm 和20kOhm 电阻器、这种组合可使 EVM 在模块输入端接受高达315V 的电压、并将电压高阈值设置为~82.5V、将电压低阈值设置为~77V (如 前面提到的计算器所示)。 如果您可以接受、请告诉我。 感谢您对这些回答的耐心。
祝你度过美好的一天!
Manuel Chavez