尊敬的先生：
我们的客户测量了 VISO 纹波电压、90mVpp、85us @ 5VIN-5V 输出、2mAout (仅驱动 ADS1248)。 这既不是问题、也不是问题、了解典型值100mVpp 和图30的 d/s
但是、如果可能、他们希望改善更低的纹波电压。 一个想法是在下图中添加 LC。 您认为这是正确的方式还是有另一种好方式？
如果有改进 Vpp 的好建议、我们将不胜感激。
此致、
Masa
Koteshwar-San、您好！
非常感谢您的快速响应。
我正在尝试针对10kHz 截止频率计算合适的电容器(和电感器)值。 它可能只是10uF 的两倍。
但是、如果您有一些 公式、说明10kHz 和120kHz 是如何从10uF 和0.1uF 产生的、那会非常好。
我的初步公式是 FC=1/(2 x PI x R x C)
实际上、Murata 的10uF SMT 陶瓷电容值将在5V 偏置时从10uF 变为6uF、如下图所示。 因此、预计会产生更大的陶瓷电容器。
我 为 R 应用了电容器的 ESR。我是否需要考虑 VISO 阻抗？
此致、
Masa
您好、Masa-San、
去耦电容器和纹波频率之间没有直接的公式。 对于 ISOW、输出纹波频率取决于连接的负载。 对于较高的负载、频率将接近120kHz、而对于较低的负载、频率将接近10kHz。
10µF ISOW 器件特性主要在0.1µF μ V+ μ s 完成、因此我将该电容称为测试条件。 在此测试条件下、根据负载、输出纹波频率将在10kHz 至120kHz 的预期范围内。 对于较高的电容、频率范围可以在较低侧扩展、以便根据负载进一步降低值。
对于 π 型滤波器、您可以使用以下公式计算截止频率、其中两个电容值将各为 C/2、电感值将为 L、如下图所示。
fc = 1/[π x 平方根(L x C)]
如果您有任何其他问题、请告诉我、谢谢。
此致、
Koteshwar Rao
