尊敬的女士们:
在 我的新设计中、该器件必须承受 EN 61000-4-2 4级中规定的 ESD 放电测试。 这意味 着测试发生 器的330pF 电容器充电至8kV、并通过330欧姆电阻放电至隔离侧的 GND。 如果不使用拼接电容、这意味着隔离式 GND 可通过非隔离式 GND 充电至8kV。 遗憾的是、我在数据表中找不到与此测试直接相关的规格。
我现在的问题 是:
1.器件是否在不采取任何额外措施的情况下不会在隔离栅击穿的情况下通过此测试?
2.如果是、以下哪一项规格将保证这一点(V_IOTM 生产测试、V_IOSM 鉴定测试)?
如果没有、建议在隔离式和非隔离式 GND 之间使用哪些 ESD 旁路组件(即抑制器)? 气体放电管、TVS、压敏电阻?
4.由于规格相等、我是否可以假设您的答案 对 ISOW784x 也有效 ?
谢谢、致以最诚挚的问候!