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器件型号：SN6505B 主题中讨论的其他器件： SN6501
是否可以并联两个 SN6505B 器件(一个在另一个器件的顶部)？ 它们将与相同的 CLK 同步。 我们希望这样做、因为电流限制有时会生效。
谢谢、
Pablo
您好、Pablo、
正如 Koteshwar 提到的、不建议连接两个 SN6505 (或 SN6501)器件的 D1和 D2引脚、因为它们不能用于在多个器件之间分配电流负载。 开关特性的零件间差异可能会导致并联连接的任何两个器件损坏。
可以包含如下所示的外部 FET 以提高隔离式电源的功率能力、但该解决方案会增加初级侧的电压容量、而不是灌电流能力： 
对于上述用于升压电流的解决方案、Vin 需要大于 Vout、变压器需要具有小于1的匝数比(降压变压器)。 此解决方案需要提供的最大负载电流是多少？
谢谢、
Manuel Chavez
您好、Pablo、
我们考虑使用 SN6505驱动>1A 的拓扑如下所示： 
V1可在3V 电压下工作、但外部 N 沟道 FET 的 Vgth 需要远低于此值、并且能够吸收>1A 的电流。 需要多大的电流尚不清楚、但 SSM3K329R 等 FET 应该可以正常工作。
该设计在权衡后发现、SN6505的某些特性将在外部 FET 上丢失、例如电流限制和热关断。
请告诉我、如果这是您需要考虑的解决方案、否则隔离负载可在两个独立的 SN6505电源电路之间进行分配。
谢谢、祝您度过愉快的周末、
Manuel Chavez
您好、Pablo、
我们欢迎您的参与、两个并联的 SN6505B 器件的配置可能通过实验工作、但我们无法保证器件不会损坏或其长期可靠性不会受到影响、因此我们不推荐您使用。
感谢您的解释。 为了使中心抽头变压器正常运行、初级线圈的电压增加到高于 V+电源电压。 SN6505数据表的第8.3.1节(下图)对此进行了说明： 
在本说明中、使用 D1/D2到 V+之间的二极管将影响推挽操作；请务必从设计中移除这些二极管、我将更新我之前的响应以反映这一点。
尊敬的、
Manuel Chavez
您好、Pablo、
如果环境温度预计超过85dC、建议在隔离电源的输出端使用 RB168MM-40肖特基二极管。 对于其他情况、我们建议使用 MBR0520L。
降低 EMI 的其他方法是选择漏电感较低的变压器或为 D1/D2引脚上的缓冲电路设计占位符、如下所示： 
请告诉我您对此有何看法。
谢谢、
Manuel Chavez
