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您好专家
我看到了此链接 《隔离式直流/直流转换器的 EMI 要求基础知识》(TI.com)。在本应用手册中、它介绍了两种改善 EMI 的解决方案:一种是添加"层间拼接电容";另一种是"在内层之间拼接电容器"。
但它不适用于隔离数字器件。
那么、我的问题是、这些提高 EMI 的解决方案是否也适用于 ISO7741。 我们是否有任何应用手册或相关资源? 谢谢
您好!
感谢您的提问。
请允许我们查看这些信息、并在下周一与您联系。
此致、
A·维塔尔
您好, Aaditya
好的。
添加另一个问题:如果需要添加 "层间拼接电容"、 建议使用什么值的"层间拼接电容"?
谢谢
您好、Jay、
感谢您的耐心。
您的意思似乎是 ISOW7741器件。 如果是、可以使用拼接电容器来提高 EMI 性能。 有关拼接电容器的更多信息、请查看 《具有 ISOW7841集成式信号和电源隔离器的低辐射设计》(修订版 C)(TI.com)
此致、
A·维塔尔
您好,Aaditya
我不是指 ISOW7741。 客户使用 ISO-DIGITAL IC (ISO774x)。
采用 ISOW7841集成信号和电源隔离器的低辐射设计的拼接电容器解决方案(修订版 C)(TI.com )和隔离式直流/直流转换器 的 EMI 要求基本原理(TI.com)对于 ISO 数字 IC 而言并非特别的。
那么、我的问题是 拼接电容器解决方案是否 也可以用于 隔离数字 IC
您好、Jay、
感谢您的澄清。
是的、 一般来说、拼接电容器有助于改善 IUSO774x 等 TI 数字隔离器的 EMC 问题、以帮助应对 EMC 挑战、但器件运行不需要。
需要注意的一点是、拼接电容器会显著降低整个系统/解决方案的隔离等级。
此致、
A·维塔尔
您好、Jay、
如果可能、请向我们简要说明 ISO7741器件所面临的 EMI 问题。
此致、
A·维塔尔
您好,Aaditya
目前、客户只需使用 ISO774x 进行布局。 因此、他们想知道是否可以使用"拼接电容器"解决方案来预先防止潜在的 EMI 问题。
ISOW 器件的集成式直流/直流转换器会产生更多的噪声(因为功率级别更高)。
普通信号隔离器没有这个问题、并且通常不需要在接地之间使用一个电容器。 防止潜在 EMI 问题最重要的机制是去耦电容器、以及信号线的正确端接(如果它们承载高速信号)。
高克莱门斯
好的,明白了。
感谢您的回复