[参考译文] SN6507：SN6507在具有占空比控制的宽范围输入下不工作

尊敬的 Darek：

欢迎来到 TI E2E 论坛！

感谢您与我们联系、并很遗憾听到您的设计无法正常工作。 SN6507数据表的图8-3和图9-4中提供了启用占空比控制的 SN6507的应用原理图、我正在复制图9-4以下。

您还可以在 EVM 原理图中找到包含元件值的详细原理图。 我复制的是适用于 SN6507的 EVM 的直接链接。 在此页面上、您将找到 EVM 用户指南、其中包括 EVM 原理图、PCB 布局和 BOM 以及其他内容。

https://www.ti.com/tool/SN6507DGQEVM

谢谢、请分享您的原理图、以便我可以审查和确认设计中是否存在任何问题。

此致、
Koteshwar Rao

尊敬的 Koteshwar：

感谢您的快速回复。 首先、我尝试使用下面的原理图：

总共：RDC=33k、RSR=NC、RCLK=10k、RLIM=22k、TR 1：2.29、 L= 22075 μ H

然后、我尝试使用 DevKit 并使用类似的设置、但 L=33uH (包含在开发套件中)。 我进行了 RCLK=10k 和 RCLK=4.7K 以及 tr 1：0.71 (最初在开发套件中)和 tr 反向(即 tr 1：1.4)的测试

我无法降低占空比。

我的应用要求：输入电压最小值= 16V、最大输入电压= 27V、输出电压= 27V、输出电流= 0.2A。 这是 IGBT 驱动器的电源、因此只有在开关晶体管时才会拉出电流。 处于空闲模式10mA

Darek

尊敬的 Dariusz：

感谢您分享原理图和更多详细信息。 请允许我查看这些信息、并在明天给您回复、谢谢。

此致、
Koteshwar Rao

尊敬的 Koteshwar：

谢谢你。 我期待您的建议。

KR、Dariusz

尊敬的 Dariusz：

请允许 Koteshwar 和其他日期进行审查 和回复。 感谢您的耐心。

此致、

Aaditya Vittal

尊敬的 Dariusz：

感谢您的耐心。

根据您的应用输入/输出电压要求并根据 RDC = 33kΩ 时的原理图、计算出的典型占空比为18%。 该值应设计为25%、以便输入变化不超过允许的占空比范围。 为了实现25%的占空比、我建议使用 RDC = 46kΩ、其他所有值都保持不变。

为进行测试、如果220µH、建议最小负载为33µH、如果20mA、建议最小负载为130mA。

请使用建议的 RDC 和 Lmin 进行测试、并让我们了解结果。 谢谢。

此致、
Koteshwar Rao

尊敬的 Koteshwar：

谢谢、我会进行测试并将结果反馈给您。

与此同时、您能告诉我您是如何计算 Rdc 的？

在计算中、我使用了公式 No. 1在数据表第13页、参数 D = 0.25、VCC = 16、RCLK = 9.6、结果是 Rdc = 33.6k

此致、

Dariusz

尊敬的 Dariusz：

我认为您的和我的计算之间的差异是由 VCC 值造成的。 公式(1)中的 VCC 应为标称输入、即输入电压范围的中心值。 在您的应用中、电压为21.5V (我使用22V 进行计算)、介于16V 和27V 之间。 当输入为21.5V 时、占空比将为25%。 如果输入电压增加、占空比会降低；类似地、如果输入电压降低、占空比会增加、从而实现线路调节。

同样重要的是、您必须有 LMIN 来支持最小负载要求。 较低的最小负载电流需要较高的电感器值、而较高的最小负载可接受较低的电感器值。

请进行测试、如果您仍然发现问题、请告知我们、谢谢。

此致、
Koteshwar Rao