This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCC256403:LLC 半桥转换器中的初级侧 MOSFET 选择所需支持

Guru**** 1709640 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC256403, UCC256404
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1389481/ucc256403-support-required-for-primary-side-mosfet-selection-in-llc-half-bridge-converter

器件型号:UCC256403
主题中讨论的其他器件: UCC256404

工具与软件:

尊敬的 Mike:

我有关于 LLC 半桥电路的初级侧 MOSFET 选择的疑问。

根据计算结果、漏极电流将为8.6A、电压将为630V。 因此、如果我使用较小的 Rdson 和 Coss MOSFET、漏极电流额定值将会过高。

您能指导我如何处理此问题吗?

此致、

Jilna Jayan

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    我正在审查您的查询、我们会尽快回复您。

    此致、

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    请注意、UCC256403具备峰值电流限制和过流保护、可以防止 FET 看到过多电流。  FET 上的 Rdson 不是限制电流的因素。

    为了将(I^2)* R 损耗保持在最低水平、建议您选择 FET 的 Rdson 来限制功率耗散。

    您可以通过正确设置 UCC256404的 ISNS 引脚来保护 FET 免受过流影响。  以下链接将为您提供一个 Excel 工具、随后将设置 ISNS 引脚以保护 FET 免受过流影响。  

    https://dr-download.ti.com/design-tools-simulation/calculation-tool/MD-4q9segeylW/01.00.00.0C/sluc675c.zip

    感谢您关注德州仪器(TI)产品。  如果您有相关问题、请点击右上角的"提出相关问题"按钮。 新创建的问题将自动链接到此问题。

    此致、