主题中讨论的其他器件: UCC256404
工具与软件:
尊敬的 Mike:
我有关于 LLC 半桥电路的初级侧 MOSFET 选择的疑问。
根据计算结果、漏极电流将为8.6A、电压将为630V。 因此、如果我使用较小的 Rdson 和 Coss MOSFET、漏极电流额定值将会过高。
您能指导我如何处理此问题吗?
此致、
Jilna Jayan
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
工具与软件:
尊敬的 Mike:
我有关于 LLC 半桥电路的初级侧 MOSFET 选择的疑问。
根据计算结果、漏极电流将为8.6A、电压将为630V。 因此、如果我使用较小的 Rdson 和 Coss MOSFET、漏极电流额定值将会过高。
您能指导我如何处理此问题吗?
此致、
Jilna Jayan
您好!
请注意、UCC256403具备峰值电流限制和过流保护、可以防止 FET 看到过多电流。 FET 上的 Rdson 不是限制电流的因素。
为了将(I^2)* R 损耗保持在最低水平、建议您选择 FET 的 Rdson 来限制功率耗散。
您可以通过正确设置 UCC256404的 ISNS 引脚来保护 FET 免受过流影响。 以下链接将为您提供一个 Excel 工具、随后将设置 ISNS 引脚以保护 FET 免受过流影响。
感谢您关注德州仪器(TI)产品。 如果您有相关问题、请点击右上角的"提出相关问题"按钮。 新创建的问题将自动链接到此问题。
此致、