[参考译文] ISOW1432：关于 ISOW1432的布局审查

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Other Parts Discussed in Thread: ISOW1432, ISOW1432DFMEVM, ISOW7741DFMEVM

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：ISOW1432
主题中讨论的其他器件：、 ISOW7741DFMEVM

工具与软件：

您好、先生、

我的客户完成 ISOW1432电路并开始 PCB 设计。您能帮助检查他们的布局吗？感谢您的帮助。

此致、

Gary Teng

0 admin 7 个月前

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您好、Gary、

感谢您分享原理图和 PCB 布局、请允许我复查并明天回来解答。

此致、
Koteshwar Rao

0 admin 7 个月前

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您好、Gary、

很抱歉响应延迟、感谢您的耐心等待。请在下面找到我的评论意见,

比较
1. 所选铁氧体磁珠(FB)器件型号 ACMS100505A600仅提供60Ω 阻抗、请考虑从30MHz 到1GHz 提供大于300Ω 阻抗的不同 FB。您也可以使用 ISOW1432DFMEVM 中的调试器。
2. 我们建议将 GND1/GNDIO 节点与初级侧的系统 GND 分离。例如、请参阅 ISOW1432DFMEVM 或 ISOW7741DFMEVM。
3. 否则、其他一切看起来都很好。
PCB 布局
1. VISOOUT/GND2上的去耦电容和 FB 目前位于不同 PCB 层上器件下方。为了获得出色的发射性能、我们建议器件下方不要进行任何焊接、并避免任何噪声耦合。
2. 一旦 GND1/GNDIO 和系统 GND 在初级侧分离、我认为 PCB 布局将相应更新。
3. 除此之外、我没有看到任何其他重大问题。谢谢。

此致、
Koteshwar Rao

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