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[参考译文] SN6501：死区时间内 SW 电流的相关问题

admin
Guru**** 2350710 points
Other Parts Discussed in Thread: SN6501, SN6507
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1434423/sn6501-question-on-the-sw-current-during-the-dead-time

器件型号：SN6501
主题中讨论的其他器件： SN6507

工具与软件：

尊敬的 TI：

我正在使用 SN6501 IC。 以下 是空载和约4Vin 条件下 VSW1、VSW2和 ISW1/2的测试波形。 测试电流应为磁化电流。

我的问题是、为什么在死区时间内会保持几个 mA 的电流。 SW1/2和 GND 之间似乎有一个很大的电容器。 该电容器的容值是多少？ 或者对此行为还有其他解释吗？  我认为、死区时间内的磁化电流应保持在较低的值。  

期待您的回复。

谢谢！  

Hans

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    TI__Guru**** 2350710 points
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    您好、Hans：  

    感谢您联系我们。 我们期望在死区时间内看到的电流20mA、这是开关体电容的结果。  

    此致！
    Andrew

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    TI__Guru**** 2350710 points
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    Andrew、您好！

    感谢您的及时回复。 就我而言、内部 MOSFET 的体电容只能是几 pF。 根据 Ic = dv/dt、体电容应比波形大。 你能给我一些原则的解释吗？

    此致、

    Hans Zhang

  • 0
    TI__Guru**** 2350710 points
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    您好、Hans：  

     内部 MOSFET 旨在处理 SN6507的正常应用。 很遗憾、 我无法提供进一步的设计细节。  

    此致！
    Andrew

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    TI__Guru**** 2350710 points
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    Andrew、您好！

    感谢您的答复。 我再补充一个问题。

    死区时间内的电流是磁化电流或 Cds 电容器充电/放电的以下电流？ 我认为电容器很大。

    谢谢！

    Hans Zhang

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    TI__Guru**** 2350710 points
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    您好、Hans：

    峰值电流源于变压器的初级电感和导通时间。 之后、电流在死区时间内下降。 下降速率将取决于人体电容、这正是我们在这里看到的情况。  

    此致！
    Andrew