Other Parts Discussed in Thread: CD4051B
器件型号： CD4051B
您好、
TI 产品的参数未另行通知（对我们来说）、正在发生大规模的生产质量溢出事件。
行业标准做法是、PCN 宣布与现有性能水平存在细微偏差、不会使更新的零件与以前的产品不兼容；该变更级别已被视为先前零件的 EOL 事件和修订零件的新零件号。
自 2017 年起、所涉及的零部件已在我们允许的制造商系列（3 家供应商）中。 Vil 的不可解释的变化（详情如下）是导致我们质量问题的原因。 直到最近才检测到它、因为我们的特定驱动水平在几乎所有情况下（包括生产测试夹具）仍然正常工作。 在极端负载情况下、我们会得到少量意外故障、这会导致进行此分析（新器件的 ViL<=800mV、对于早期产品、<=4V @ Vcc=15V；驱动电平~ 950mV 正常、检测到故障~1V1）。
我们不是军事制造商，因此在加载之前，不进行样片验证每个器件批次的数据表参数 — 我怀疑有 (m) 任何电子组装操作仍然会执行此操作。
我们可能不是您因这种极其糟糕的行为而受害的唯一客户。
为了帮助抑制其他潜在失效、您能否列出经历类似芯片收缩并最终导致参数变化的任何其他 TI 器件。
详细信息：
2023 年、TI 将长期运行的 CD405xB 器件从修订版更改为 I 至 J。它看起来像一个芯片收缩、运行发生了显著变化、即（将 SCHS0471I 与 SCHS0471K 进行比较）：
a) 更改了静态 IDD。
TSSOP — 显著从 5 μ A 增加到 60uA （最大值）25C 5V、典型值从 40nA 增加到 17uA)。
注 1： 更改实际上发生在 P6 上。
其他封装–仅显著增加了 IDD (@20V 典型值 25°C、从 80nA 增加到 18uA)。
注 1： 更改实际上在 P11 上。
b) TSSOP — 增加了典型关断通道泄漏值，x40。
注 1： 在 p7 上实际发生了变化。
其他封装–无变化 (p12)
c) TSSOP — 增加了最大导通通道漏电流，x2.7。
注 1： 在 p7 上实际发生了变化。
其他封装–无变化 (p12)
d) TSSOP — 将 Vil 电平从 CMOS 耐受性更改为 Vcc、以固定<800mV。
在 p8 上进行了更改。
这不是一个“更新“、而是一个新设备；
仅这一点就导致器件 与 长时间运行的生产电路中的一些同时驱动电路不兼容。 它不再与早期的 CD4051 或当前生产的 OnSemi & ST 等效产品兼容。
其他封装–无变化 (P14)
e) TSSOP — 增加了最大输入电流 x10。
注 1： 在 p8 上实际更改
其他封装–无变化 (P13)
f) 规定的典型时序变化、工业输出关断
TSSOP - P9；任何最大时序值均无变化
其他封装–任何最大计时值（典型值，15V 至 90ns）均无变化 (P14)
G) 更新了 ESD 等级
除 TSSOP 外的所有封装、没有变化。
TSSOP — 注释 1
h) 更新了典型特性
注 1： 在 p16 上实际更改；丢失 5 倍通道电阻图
注 1： 这不是“更新“、而是降级到更差的过程。
Rev L 整合了数据表双言、说明表格是在多个封装之间整合的。 这会将 Rev.J TSSOP 参数的显著下降移至所有器件 （上述 a-h）。
这不是整合或“更新“、而是新设备。
此时、TI 应具有采用非 TSSOP 封装的 EOLed CD405x 器件。
