https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/662584/sn74ahct74q-q1-high-delta-icc
部件号：SN74AHCT74Q-Q1您好，
我对SN74AHCT74Q-Q1的电源电流有疑问。
(1)
我们的客户使用SN74AHCT74Q-Q1更换TC7WT74FU (Toshiba)。
然后，东芝器件的电源电流增加了0.8mA。
我们想到了增量ICC规范的原因。
它们使用Vcc=5V和Vin =3.3V。
请您告诉我这个增量ICC的机制是什么？
(2)
其它设备的规格为delta ICC (例如SN74HCT74)。 但规格不同。
请告诉我这一差异原因吗？
(3)
是否有任何其它设备的ICC规格低于Sn74AHCT74Q-Q1。
此致，
柳枝
你好，Ryiji-san，
我不想解释MOSFET的工作原理，而是给出一个非常简短的答案： 数据表中专门测量了MOSFET的工作原理：
请注意，测试条件显示一个输入电压为3.4V，测得的电源电流(最大值)为1.5mA。
您好，柳枝山，
很抱歉，我之前没有时间完整回答您的问题-昨天我很忙。 我今天将尽力回答全部问题。
CMOS器件在器件的每个阶段使用一对互补FET，如下所述： 
大多数逻辑器件的输入只是CMOS反向器件，通常使用以下精确电路：
在此阶段之后将会有额外的CMOS电路，但这是了解为什么输入电压不正确，输入电流如此之大的关键。
我假设您是一名工程师，并且知道MOSFET的一般工作原理(如果不是，这将成为_非常_长的帖子！)。 下面是我使用的快速提醒表：
请记住，V_GS控制打开nFET的程度，V_SG控制打开PFET的程度。 如果输入非常接近Vcc，则PFET将关闭，因为V_SG = Vcc - Vcc = 0V。 同样，当输入为0V时，nFET将关闭，因为V_GS = 0V - 0V = 0V。
下图显示了典型CMOS输入(理想)的输入特性：
您可以在左上角看到，当输入接近0伏时，MP FET打开，Mn FET关闭，这导致消耗的电流极少。
同样，当输入非常接近Vcc时，MP关闭，Mn打开，这会导致消耗的电流非常少。
顶部和底部图沿x轴对齐，以便两者都显示输入电压的匹配扫描。 接近输入电压Vcc/2的红色高亮区域显示了由于电流直射而产生的预期电流峰值。
此直通电流是由MP和Mn同时打开引起的，当前路径如下所示：
如果我可以提供进一步的帮助，请告诉我。
