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器件型号：SN74AVC16827 尊敬的 TI：
我的问题涉及以下方面：
我将您的 IBIS 模型用于此部件、此部件具有 DOC 并且正在驱动超过2.5英寸的迹线的存储器、并且负载上存在大量过冲、大约为2V。
您提供的 IBIS 模型是否能够准确模拟输出 FET 的导通和关断以实现 DOC？
我认为这不是因为我遇到了大量过冲、而且这种动态行为可能很难使用 IBIS 3.2 2004进行建模、这正是我在 IBIS 模型中看到的。
例如、在关闭第二个 PFET 之前、它必须感测到输出达到一个特定的值。
但是，当然，我远未成为这方面的专家，因此我向大家提出的问题。
如果我知道模型是准确的、那么我将能够适当地处理这个问题。
非常感谢 TI、
Ned
