[参考译文] SN74LVC1G123：150ms tw 的电容器和电阻器值是多少？

脉冲宽度受所有组件的容差和泄漏电流(主要是电容器)的影响。

74xx123仅通过电阻器为电容器充电、并在电压达到 VCC 的63.2%时触发。 理论上没有上限、但实际上、您必须使用如此小的充电电流、这样才能从泄漏电流中获得明显的影响。

如果是陶瓷电容器、那么它可能具有更低的电容。

3.较大的电容器可能具有较差的特性。 但没有特定的最大值。

较低的 ESR 无疑有助于提高准确性。 直流偏置行为不会。

只需通过实验确定正确的值。 但请注意这些容差；您需要高精度、您可能需要晶体振荡器。

您好、Nakai-San、

[引用 userid="190215" URL"~/support/logic-group/logic/f/logic-forum/1160343/sn74lvc1g123-what-are-the-capacitor-and-resistor-value-for-150ms-tw/4364207 #4364207]Q1。 如果电容器泄漏电流变得更大、我认为实际的 tw 会比理想的 tw 更长。
   但根据  SN74LVC1G123
    https://www.ti.com/lit/ds/symlink/sn74lvc1g123.pdf
    当 VCC 或电容器增加时、系数 K 会变小。
   您知道这种现象的发生原因吗？[/引述]

我同意。 流经电容器的泄漏将导致电容器充电速度变慢并且最大电压降低(由于充电电阻器上的 I*R 压降)，这两者都可以延长脉冲长度。 您可以观察示波器上的电容器电压、以准确查看电路中发生的情况。

K 系数主要与器件的内部电容有关。 随着电容器值的减小、K 会变得大得多。 随着电容器变大、K 系数变得更小、但不会太大。

从1000pF 变为0.01uF (或 增加10倍)、K 会发生很大的变化、但电容再增加10倍、达到0.1uF、变化极小。 我希望1uF 或10uF 的变化更小。

[引用 userid="190215" URL"~/support/logic-group/logic/f/logic-forum/1160343/sn74lvc1g123-what-are-the-capacitor-and-resistor-value-for-150ms-tw/4364207 #4364207]Q2。 器件数据表 显示了第8页上的系数 K 特性图。
    客户希望了解 10uF 情况下的图形。   
    您是否知道 TI 是否有图表？

不、我们没有10 μ F 的数据。 如果客户已经构建了电路、则可以自行测试脉宽。 我们强烈建议您在原型电路中使用您计划的电容器和电阻器以及任何单稳态多谐振荡器、然后再投入生产用于具有单稳态多谐振荡器的设计。

[引用 userid="190215" URL"~/support/logic-group/logic/f/logic-forum/1160343/sn74lvc1g123-what-are-the-capacitor-and-resistor-value-for-150ms-tw/4364207 #4364207]Q3。 他们想知道10uF Cext 和15k Ω Rext 情况下的 tw。
    您是否知道如何计算或估算 tw？

假设5V 运行、tw 的估计值为 tw = K * R * C = 0.9 * 15k * 10U = 135ms

构建原型时、目的是找到正确的 RC 组合、以生成所需的输出脉冲宽度。 请注意，这些不是精密器件--即使使用精密 R 和 C 组件，您也不应期望获得优于+/- 10%的精度。

Emrys 您好！

非常感谢您的回复、很抱歉我迟到了。
您的回复非常有用、客户也理解了。

再次感谢、致以诚挚的问候、
Kazuya。