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大家好、欢迎参加论坛！
我看不到您尝试添加的图像。 我发现添加图像的最佳方法是先将图像保存到硬盘、然后使用"插入/编辑媒体"按钮将图像添加到您的消息中。
我不知道您的问题的第一部分是指哪张图。
"杂散电容"是指系统设计的总寄生效应。 我无法告诉您您的设计是什么。 如果您可以提供原理图、布局和堆叠、我可以尝试为您提供电容的估算值。
使用这种类型的器件、通常最好只构建原型-这将使您能够直接测试值、而不是猜测值。
请注意、该器件是由 Harris Semiconductor 至少20年前开发的、并且是由 TI 收购的。 我可以获得的数据非常有限。 如果您正在寻找低成本振荡器、这是合适的器件。 如果您正在寻找高可靠性和高精度器件、我建议您改用更现代的 VCO。 以下是 TI 提供的产品列表： http://www.ti.com/clock-and-timing/oscillators/products.html#p2192=Standard
kΩ 数据表中的"直流 MΩ 规格"中的 R2值限制为300 μ A、但该图的含义是高达11 μ A？
该图显示了各种值下的典型操作。 正确的是，这些典型值并不能保证所有数据表规格--您必须保持在所提供的限制范围内(3k 至300k)，以保持在器件的特性范围内。
我知道这个限值是一个限制、用来保证频率相对于 VCOIN 电压变化的线性度、并且可以理解 VCO 本身的振荡是可能的、是吗？
"典型"规格仅在25°C 时得到保证。 是的、在25°C 时使用这些值时、器件将会振荡。 不能、在特性限制之外运行时、不能保证满足所有规格。
我已经尝试使用原型来测量直接值。 但是、我对大规模生产的变化感到焦虑、而不是测试时的值。
变化在数据表的最小/最大限制范围内。 如果这种限制超出了您系统的要求、您将不得不改用较新的振荡器设计。
在检查下图所示 VCO 的功能块时、N、P - FET 和二极管连接在第6和第7引脚内部、该寄生电容可能会影响系统考虑的传输频率的分散。 该寄生电容的变化和值是多少？
数据表中提供的频率变化数据中已包含内部电容变化。 数据表中未对内部设计结构进行表征或包含内部设计结构。 使用数据表中的最小/最大值。
