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[参考译文] TXS0102:TXS0102技术问题

Guru**** 1956055 points
Other Parts Discussed in Thread: TXS0102, TXS0101
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https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/691074/txs0102-txs0102-technical-question

器件型号:TXS0102
主题中讨论的其他器件: TXS0101

您好!

下面我想问一些有关 TXS0102的问题。

  1. 关于内部开关 N2、该开关是否具有体二极管? 或者它具有背靠背配置?
  2. 关于 Ioff 电流、当 VCCB 关闭时泄漏电流被吸入 B 端口、并输入 B 端口。 那么、该泄漏电流 是从 B 端口流至 A 端口还是从 B 端口流至 GND?
  3. 请告诉我内部10k 欧姆的短暂容差

此致、

Satoshi / Japan Disty

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    Satosi-San、您好!

    (1)

    _all_MOSFET 具有寄生二极管。 MOSFET N2是一个4端口 FET、其主体接地。  我可以在这里说明:

    (2)

    泄漏电流是在引脚上测量的、但我们不会检查它之后的位置-它可能在器件上电势较低的所有引脚之间分配。  所有其他引脚(测试条件中未指定的引脚)都对地短路、以提供最坏情况。 由于给定的值为+/-、因此您可以看到流入或流出任何 I/O 引脚的泄漏电流高达2uA。

    (3)

    10kohm 电阻器的容差相当大、但我不知道具体值。  我将查看我们的特征评定数据、看看我是否可以找到任何信息。

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    在工艺/电压/温度范围内、10kohm 电阻器的预期范围为6kohm 至16kohm。
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    尊敬的 Emrys:

    您的所有评论也适用于 TXS0101、对吧?

    此致、
    Satoshi
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    你好,Satosi-San,
    是的、TXS0101采用与 TXS0102相同的技术构建。

    4通道和8通道版本的设计略有不同、但电阻器值的容差类似。
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