[参考译文] TXB0104-Q1：功率计算

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：TXB0104-Q1

您好！

我使用的 TXB0104-Q1器件的 VCCA = 3.3V、VCCB = 5V。我正在尝试计算器件的功率耗散。数据表中提供了参数"功率耗散电容" CPDA 和 CpdB。

静态功率是否应该针对 VCCA 和 VCCB 分别计算？

我的设计中没有连接任何外部负载电容。

该外部负载电容的用途是什么？

额定最大功率耗散是多少？

此致

Gayathri

0 admin 7 年多前

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您好、Gayathri、

是的、应计算两个电源的直流电源。当您说外部负载电容时、您是指 CPD 吗？功率耗散受器件热额定值的限制。我将在下面链接一份有关计算功率耗散的应用报告。

www.ti.com/.../scaa035b.pdf

0 admin 7 年多前

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感谢您的回答。

我已经介绍了应用手册、还有一些问题

请确认我的理解是否正确。

1.对于静态功耗：

功耗由器件泄漏电流和电源电压的乘积计算得出。

要计算泄漏电流(ICC)、应同时考虑数据表中二极管泄漏电流(Ilkg)和 ICCA 的总和？

2.动态功耗：

它通过瞬态功耗(PT)和容性负载功耗(PL)进行计算。

在我的设计中、没有向信号添加外部负载电容。我是否仍然需要计算容性负载功耗？

请解释如何为我的案例计算动态功率？

为什么需要外部负载电容？

我了解 CMOS 器件具有低功耗。但最大额定功率是多少？

在数据表中、第9页给出了 CPD 的值。这是什么意思？

请提供您对所有问题的回答。

此致

Gayathri

0 admin 7 年多前

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Gayathri、

当器件正在进行切换时、静态功耗将降至最低。这将是 ICC 和 Vcc 的产物。
泄漏电流流入或流出器件 IO 引脚或输入引脚。

CPD 是用于总结 FET 的整体内部电容的功率耗散电容。
电路板走线和器件引脚 IO 电容等将有一个很小的外部负载电容、需要加以考虑。

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