[参考译文] CD14538B：查找示例原理图

您好、Michael、

数据表的第一页提供了以下信息：

每个通道只能使用其中一个输入触发器、因此应按上述说明终止+TR 或-TR。

除此之外、下面是完整的原理图：

我可以通过将+TR 连接到 VSS 并将连接到信号源来绘制它、但我认为这对您没有太大帮助。

您可以共享原理图吗？  您正在尝试实现什么目标？  你遇到了什么麻烦？

我可能会使用额定电压更高的 FET -由于 BV_DSS (min)恰好是12V、因此 FemtoFET 可能会在您的应用中出现故障。 不过、我肯定不是这些器件的专家。 如果您想确定、可以使用该器件型号发布新帖子、以便 TI FemtoFET 应用工程师发表评论。 与我们的大多数器件一样、为了保护 TI、数据表可能稍微保守一点。

至于使用 CD14538B 驱动器件的栅极、我可能建议使用更强大的驱动器。 该器件的输出相当弱-在典型工作电压为15V 时、额定电流为13.5V/6.8mA。 这使得输出驱动器具有大约220欧姆的驱动强度。 FET 上的栅极电容为200pF、这将产生相对较慢的边沿、而电流为2A 时、可能会对器件造成热损坏。 驱动功率 MOSFET 时、通常需要非常快速的导通。

如果是我、我会将3.3V 控制逻辑与 SN74LVC1G123搭配使用。 该器件的输出驱动强度约为10欧姆(典型值)。 它将为您提供比 CD4k 器件快约20倍的输出边沿速率。