大家好、
我的客户 现在使用的是 TI 和 NXP 的 SN74GTL2014、在进行测试时、他们发现 我们的灌 电流和拉电流 能力 比 NXP 好得多。 因此、我们的器件 正 负振铃大于 NXP、如下所示。 串联 电阻器的电压 分压将影响分压、因此目前我们无法 更改分压。 我们 已将 拉 电阻器降低至33欧姆、 仍然 无法正常工作。 我们是否有更多减少 振铃的建议? 谢谢。
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
大家好、
我的客户 现在使用的是 TI 和 NXP 的 SN74GTL2014、在进行测试时、他们发现 我们的灌 电流和拉电流 能力 比 NXP 好得多。 因此、我们的器件 正 负振铃大于 NXP、如下所示。 串联 电阻器的电压 分压将影响分压、因此目前我们无法 更改分压。 我们 已将 拉 电阻器降低至33欧姆、 仍然 无法正常工作。 我们是否有更多减少 振铃的建议? 谢谢。
旁路电容器实际上对接地反弹非常有帮助。 这里有一个博客对此进行了讨论:
另一篇文章介绍了如何通过在此处添加良好的旁路电容器来降低振铃:
https://hackaday.com/2011/10/25/do-you-know-why-youre-supposed-to-use-decoupling-capacitors/