[参考译文] SN74LVTH125：接地短路故障时的源极电流损坏阈值。

尊敬的 Albert：

感谢您的答复。

我想我的问题的关键是、损害的临界值是多少？ 我明白,在正常情况下,你不应该超过建议。 不过、一般而言、在规格表中、仍会针对发生损坏的点引用一个值。

我看到从高状态驱动到接地时除电流消耗外的所有器件的损坏值、因此包括拉电流。

我很感激 TI 不能保证在建议值之外进行任何操作、但通常会给出损害值、让工程师在设计中免受魔法烟雾的影响  

那么、我能否推断出、由于 TI 没有引用拉电流损坏阈值、因此芯片被自我保护、不会被破坏？

感谢您的观看。

因此、在测量短路情况下、我们可以看到它仅在驱动电压降至接近零时将电流限制为64mA。 因此它的行为类似 CC 源。 但我们想检查这是否是实际的安全功能、因为文档仅明确指出了正常条件下的电流、在不超过限制的情况下、它仅针对(V0>Vcc)等进行了说明
我们还看到、NExperia 文档规定了64mA、实际上、它似乎具有自限制功能。 这一切看起来都很正常,但也没有记录 LOL

Unknown 说：

因此我想知道为什么它限制为64mA，然后我们今天就测试了它？

尊敬的 Anton：

因为这就是 MOSFET 的工作方式，当你把它们驱动到饱和区时，它们的作用就像恒流源。

一般来说、逻辑器件不是用来供电的、而是用来驱动轻容性负载之间的信号。 如果您采用低阻抗电源、我可能会推荐很多更好的选择。

感谢提供的服务,但这是可以的。 这超出了最初问题的范围、我们不需要低阻抗驱动器、该问题纯粹与规格表中缺少损坏阈值信息有关。 我了解 MOSFET 的工作  原理、我只是怀疑它的饱和电流会如此精确地达到64mA、这正是 NExperia 文档在其规格表中指出的、但我在 TI 的中找不到相同的值。