[参考译文] SN74LVTH125：接地短路故障时的源极电流损坏阈值。

尊敬的 Albert：

感谢您的答复。

我想我的问题的关键是、损害的临界值是多少？ 我明白,在正常情况下,你不应该超过建议。 不过、一般而言、在规格表中、仍会针对发生损坏的点引用一个值。

我看到从高状态驱动到接地时除电流消耗外的所有器件的损坏值、因此包括拉电流。

我很感激 TI 不能保证在建议值之外进行任何操作、但通常会给出损害值、让工程师在设计中免受魔法烟雾的影响  

那么、我能否推断出、由于 TI 没有引用拉电流损坏阈值、因此芯片被自我保护、不会被破坏？

感谢您的观看。

因此、在测量短路情况下、我们可以看到它仅在驱动电压降至接近零时将电流限制为64mA。 因此它的行为类似 CC 源。 但我们想检查这是否是实际的安全功能、因为文档仅明确指出了正常条件下的电流、在不超过限制的情况下、它仅针对(V0>Vcc)等进行了说明
我们还看到、NExperia 文档规定了64mA、实际上、它似乎具有自限制功能。 这一切看起来都很正常,但也没有记录 LOL

有趣。 因此、我想知道为什么在我们今天进行测试时、它会限制为64mA？ 我假设从您的响应来看、 您提到的缓冲器可能是 SN74LVTH125中使用的类型、也可能是模拟类型。
总之、由于似乎没有报价损害值、我们只需要设计更高的要求、或者为我们的产品选择另一款芯片。

感谢您的反馈。

Unknown 说：

因此我想知道为什么它限制为64mA，然后我们今天就测试了它？

尊敬的 Anton：

因为这就是 MOSFET 的工作方式，当你把它们驱动到饱和区时，它们的作用就像恒流源。

一般来说、逻辑器件不是用来供电的、而是用来驱动轻容性负载之间的信号。 如果您采用低阻抗电源、我可能会推荐很多更好的选择。

感谢提供的服务,但这是可以的。 这超出了最初问题的范围、我们不需要低阻抗驱动器、该问题纯粹与规格表中缺少损坏阈值信息有关。 我了解 MOSFET 的工作  原理、我只是怀疑它的饱和电流会如此精确地达到64mA、这正是 NExperia 文档在其规格表中指出的、但我在 TI 的中找不到相同的值。