[参考译文] SN74LVTH16646：SN74LVTH16646

您好！

您是否有一些示波器截图来展示这种现象？

在上电期间唯一需要担心的具体问题是斜坡速率、最低为200uS/V

通过一些示波器截图、我们可以为您提供更多帮助。  

这里是一些示波器图。 一个示例的上升时间非常短、另一个示例的上升时间很慢。 缓慢的一个显示下降在阿普罗克斯。 即电流大幅上升时。 我们将电源限制设置为3A、这就是它会在大约2.0V 时停止的原因。 当我们设置为4A 时、它将变为3V。

缓慢斜升可能导致器件损坏。 由于该器件具有总线保持电路、斜升至低于200uS/V 的器件会导致输入振荡、并由于典型 CMOS 输入和附加总线保持电路之间的阈值不匹配而导致过多的电流消耗。

此致！

马尔科姆

我们无法使此零件正常工作(单个 PCB 上的81个数量)。 我们正在考虑改用兼容型器件 P/N SN74ALVCH16543DGGR、该器件将在相同的"插槽"中工作。

该新器件与 EPIC (CMOS、SN74ALVCH16543)和之前的器件(SN74LVTH16646)由 BiCMOS 制成。 我们是否应该期望通过纯 CMOS vcs 实现更好的上电闩锁。 BiCMOS？
谢谢。

您是否尝试过其他器件？ 正如 Malcolm 提到的、此器件有可能已经被永久损坏。  

我不能简单地尝试一个新器件。 我在同一 PCB 上有72个这样的电阻器和一个相同的3.3V 电压轨。

我必须使用新器件组装一个新的 PCB。 这就是我考虑试用 SN74LVCH16646ADGGR (相同逻辑功能)的原因。 我的期望是在加电过程中不应损坏任何 IC。 我想知道与 较早的 SN74LVTH16646DGGR BiCMOS 技术相比、该 SN74LVCH 逻辑系列是否对加电速度(闩锁或其他奇怪行为)不太敏感 。

我还使用热像仪查看了电路板、我通常似乎在进行不同上电尝试时部件升温比其他部件更多的随机组合。

有什么想法吗？ 谢谢。