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器件型号:CD4050B 你好
我当时正在研究输入的最大 dT/dv 数据表、同时考虑
对于高达4.5us 的 RCD 时序控制、使用15V 逻辑、适用于大型 IGBT 驱动器
有人能解释一下数据表中的图9.2.3:
"图9-3. 典型功率损耗与输入上升间的关系
和每个缓冲器的下降时间 "
最佳
瓦伦
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你好
我当时正在研究输入的最大 dT/dv 数据表、同时考虑
对于高达4.5us 的 RCD 时序控制、使用15V 逻辑、适用于大型 IGBT 驱动器
有人能解释一下数据表中的图9.2.3:
"图9-3. 典型功率损耗与输入上升间的关系
和每个缓冲器的下降时间 "
最佳
瓦伦
慢速边沿会在输入电压介于 VIL 和 VIH 之间时产生击穿电流;请参阅 [FAQ]慢速或浮点输入对 CMOS 器件有何影响?