[参考译文] TXS0102：用于1kHz I2C 信号以及400pF 的电容

嘿、neet、

这种情况超出了 d/s 中规定的条件、因为我们不建议使用该器件驱动高于70pF 的负载。 但是、您可以 使用 TXS-EVM 评估此临界情况、以检查 SI 是否符合您的系统要求。  

400pF 负载是否限制了所需的数据速率？ 如果是这样、您还可能会看到 I2C 缓冲器将实现更高的速度(高达1MHz)、因此400pF 的条件不会出现设计瓶颈。  

此致、

插孔  

您好、 Jack Guan、

1KHz 的信号不受 400pF 的限制-正如我所说的、我们要在 EOS 事件发生时寻找一种隔离器件。

请建议您团队中的某个人是否具有在较低速度和较高电容下运行 TXS 的经验、因为应用手册中给出的图形显示、较高电容的问题似乎仅涉及上升和下降时间、即波形-我认为这不应该是1kHz 低速度下的问题-但是有什么明显的问题、我们可能会在这里遗漏？ 这正是我在投资使用 EVM 进行测试之前想要了解的内容。

那么、考虑到数据速率较慢(低至1kHz)、是否公平假设给定测试中可见的波形中的上升和下降时间问题可能不再是需要关注的问题？

请帮助提供您的最佳见解和信息。