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[参考译文] SN74LXC8T245：输入悬空时的 I/O 和 VCC 电流

admin
Guru**** 1782690 points
Other Parts Discussed in Thread: SN74LXC8T245
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/1418474/sn74lxc8t245-i-o-and-vcc-current-when-input-is-floated

器件型号：SN74LXC8T245

工具与软件：

SN74LXC8T245数据表的第8.3.1.1节中显示"建议在 I/O 上保持一个有效的电压电平、以避免高电流消耗。" 这种"高电流消耗"的限制是什么？

我在图6-5和6-6中看到有关 Icc 与 VIN 的表、而且我确实看到、在最大 VCC 条件(室温下的典型值)下、电流尖峰高达1.9 mA。 这就是数据表中"高电流"的含义吗？

其他一些问题：

  1. I/O 输入泄漏电流(I_I)是否也会增加？ 如果是、是否有详细说明行为的图表？
  2. 是否有图表显示了扩展温度范围内的最坏情况性能？ 例如、在-40°C 和+85°C 时、max (ICC)与 VIN 是否存在特性？
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    TI__Guru**** 1782690 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    图6-5/6-6中显示的高"电流消耗"是击穿电流；请参阅 [常见问题解答]慢速或浮点输入如何影响 CMOS 器件？

    击穿电流流入 VCC 并从 GND 流出。 泄漏电流流入或流出输入引脚、不受影响。

    这里没有保证的限制。 在任何情况下、都应避免输入悬空。

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    TI__Guru**** 1782690 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢提供参考。 这种"没有保证的限制"的说法是充分的理由、使我能够继续并遵循避免浮置输入的指导。 谢谢。