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器件型号：2N7001T 工具与软件：
您好！
我们使用了一个 2N7001T 使用我们最近的原型上的3.3V 至2.5V 时钟转换器。 由于在近场中测得的辐射发射较高、与之前不使用该元件的电路板版本相比、如果可能、我们希望考虑使用等效直接替代器件。 我们使用的器件封装是 SC70-5. 并且如果结果有利于改用替代器件、则最好插入一个等效的转换器来测试近场 EMI 发射。
遗憾的是、由于一些尚不清楚的原因、我们观察到了高的近场 Sub-GHz 杂散发射、这可能可追溯到2N7001T 器件开关、如下所示。 原因是：
- 在上一个电路板版本中、我们没有任何用于 XO 时钟的电压转换器、而是依靠一个粗糙的电阻分压器为另一个器件提供距 CMOS 时钟源5 - 6cm 的电压。
在新的 PCB 修订版上、我们决定为远程器件的2.5V XO 时钟要求添加适当的电压转换器。 出于某种原因、这种添加带来了相对较高的 EMI 发射 10 MHz < 1GHz、在近场和频谱梳状中可以观察到高达 XO 基波的63次谐波。
- 在所有 PCB 电源均处于工作状态的情况下、提起2N7001T 器件上的输入引脚、不会再产生辐射、这使得该器件在该特定 PCB 上出于某种原因而切换可能成为 EMI 源(下面的第二次测量)。
- 可能会出现一些难以使用示波器观察到的非线性交互作用、但直至 第63次会议 的谐波 12MHz XO CMOS 信号在 PCB 上方的同一区域内直至约748 MHz 内的近场中观察到。
电路板版本之间(不带和带有源电压转换)、近场 EMI 发射非常高。 这可能会导致符合性测试和符合 EN 301 489-1,-3、-17等认证的最终问题、我们不希望在近场中有这些排放、因为也不会在远场看到这些排放；-)
这可能有一个简单的原因、但到目前为止我看不到任何特定的原因–使用该组件很简单、布线也非常简单。 可能会对原始 CMOS XO 的上升/下降时间进行更糟糕的修改、我们更希望避免这种情况。
最简单的方法就是找到一个直接的替换方案、然后重新测试；如果近场发射足够、且近场发射相对降低至少8dB–10dB、我们将保留新的转换器。
非常感谢您的帮助。
此致、MM
