工具与软件：
您好！
我们使用了一个 2N7001T 使用我们最近的原型上的3.3V 至2.5V 时钟转换器。 由于在近场中测得的辐射发射较高、与之前不使用该元件的电路板版本相比、如果可能、我们希望考虑使用等效直接替代器件。 我们使用的器件封装是 SC70-5. 并且如果结果有利于改用替代器件、则最好插入一个等效的转换器来测试近场 EMI 发射。
遗憾的是、由于一些尚不清楚的原因、我们观察到了高的近场 Sub-GHz 杂散发射、这可能可追溯到2N7001T 器件开关、如下所示。 原因是：
在新的 PCB 修订版上、我们决定为远程器件的2.5V XO 时钟要求添加适当的电压转换器。 出于某种原因、这种添加带来了相对较高的 EMI 发射 10 MHz < 1GHz、在近场和频谱梳状中可以观察到高达 XO 基波的63次谐波。
电路板版本之间(不带和带有源电压转换)、近场 EMI 发射非常高。 这可能会导致符合性测试和符合 EN 301 489-1,-3、-17等认证的最终问题、我们不希望在近场中有这些排放、因为也不会在远场看到这些排放；-)
这可能有一个简单的原因、但到目前为止我看不到任何特定的原因–使用该组件很简单、布线也非常简单。 可能会对原始 CMOS XO 的上升/下降时间进行更糟糕的修改、我们更希望避免这种情况。
最简单的方法就是找到一个直接的替换方案、然后重新测试；如果近场发射足够、且近场发射相对降低至少8dB–10dB、我们将保留新的转换器。
非常感谢您的帮助。
此致、MM
您好、MM：
感谢您提供所有信息！ 为了仔细检查、您是否在 VCCB 和 VCCA 上都有旁路电容器？
2N7001T 具有一个与之关联的 EVM。 是否可以获取 EVM 以查看此电路板是否可以通过发射？ 我同意布局和布线相当简单、但我想排除这一点。
遗憾的是、我们没有引脚对引脚替代产品。 采用 SC70-5封装的最接近的器件是 SN74LXC1T14。
此致、
Josh
尊敬的 Josh：
感谢您的快速回复。
继此问题之后、这里是从原理图中摘录的内容。
组件周围的本地布线：
LDO 输入和输出端有1uf 电容。 建议在2N7001T 电源上使用100nF 去耦电容。
输出轨道(引脚 B)从板外连接到边缘连接器、轨道长度约12mm。 此信号通常会非板载进入处理器时钟输入、该时钟输入上保留了与前一个分压器无关的10K 输入下拉电阻、但在这种情况下、边缘连接器为 O/C、用于简化测试设置、因此 B 输出未端接。
输入布线长度约为110mm (引脚 A)、连接到源 HCMOS XO 以提供3.3V 12 MHz 时钟。 当使用近场探头在同一位置进行测量时、将针脚 A 提离电路板可移除频谱梳。 当 DUT PCB 在某些电源轨上滑入测试夹具中时、该近场探头固定在其中、NF 探头在 X、Y 和 Z 方向上相对于 NF 发射源的位置始终相同。
我的目的是完全移除转换器、并分流时钟输入/输出以观察结果、这基本上是之前版本的 PCB 没有使用电压转换器。 这将确认任何其他疑问... 无论如何、我都有点困惑、因为我特意选择了一个较低速的缓冲区类型转换器、以充分理由避免快速边沿- 我不要求它们在目标应用中具有较快的速度。
那么、快速更新一下这种有害辐射。 将电压转换器替换为直接 s/c 后、结果看起来它仍然会在 NF 中产生一些发射、尽管在较高端时会有所降低
此外、通过使用33R 电阻器焊接附近的一些过孔、在输入和输出引线之间进行直接连接、可以显著降低近场中的有害辐射、如第二次测量所示(请注意、 周围会出现一些光谱峰值) 860MHz 实际上是由背景噪声造成的、不属于器件发射频谱)。
一旦我们进行有害发射测试、该 NF 结果很可能与法尔场观测结果高度相关、因此最好的折衷办法似乎是暂时不使用电压转换器、并完全绕过小环路、这在本例中似乎会产生某种程度的共振。 这个环路的有效半径结果是大约1.6毫米,所以没有什么显著,但显然足以引起一些潜在的问题,与不受邀请的散热器。
