[参考译文] DRV8842：最大电流输出

Daniel、您好！

您在应用中将这个器件用作一个直流电源开关。 由于有可能出现击穿、两个输出不适用于用于驱动 BDC 电机的并行运行。 但是、在您的电路中、输入连接到3.3V、并将进入 LS-FET 导通、因此不会遇到这个潜在问题。 ^通过 μ C SLEEP 引脚进行。  

这取决于应用环境温度 TA 和系统的热性能。 直流 FET 导通损耗引起的功率耗散将为 I^2 x (HS-FET RDSon/2)、并联 FET 除以2。 利用此功率损耗、您可以使用 数据表中的 RθJA 规格来估算内核温度。 该温度+ TA 温度必须低于数据表中的 tTSD 规格、并留有一定的余量。 这将定义预期的电流容量。

例如、如果 TA = 25 °C 、I = 3.5A、则导通损耗将为3.5x3.5x0.1 (假设 每个 FET 的0.2 Ω 包括一些降额)= 1.225W   。RθJA = 31.6 °C/W、因此估算的芯片温升将为31.6 x 1.225   = 150 °C + 25 °C (对于 TA = 63.7 °C、该值小于 tTSD 最小38.7 °C) 。 请注意、实际上、IC 中还有其他损耗需要考虑、包括3.5A 的 RDSon 降额、该值可能高于 0.2 Ω 。尽管如此、直流导通损耗将是我们应用中的主要功率损耗。 我希望这对您有所帮助。  谢谢你。   

此致、Murugavel  

非常感谢 Murugavel4637！