工具与软件：
您好：
我们在产品中使用 DRV8143-Q1作为驱动器 IC。
在以下情况下会发生芯片烧毁：
使用电磁作为负载 、在低侧配置。
VM 电源 : 26–30 V.
驱动电流 ：16 A (在此电流下、间歇性出现芯片烧毁)。
烧毁期间观察到的波形：
虚拟机 ：未观察到电压尖峰。
进行了测试 ：16 A 持续约200毫秒。
关键问题：
过流保护 ：16 A 驱动电流没有触发芯片的过流保护。 为什么？
过热保护 ：为什么芯片的过热保护功能无法激活？
其他上下文 ：
相关电路设计如下所示。
如果您需要更多详细信息、请告诉我！
1、试验期间超过6件;
2.我们最近会做测试;
VM 上有一个0.1uF 的旁路电容器。
4. 
我们在 VM 上总共有大约330uF 的大容量电容器。
我上传2个波形。一个在电流上升开始时、另一个在稳定状态。(这些波形 是在20V 电源条件下捕获的、驱动器运行良好)
我想知道高侧的电流检测电阻器是否具有与高侧 FET 相同的电流容量？
我不明白为什么芯片 OTP 在这种情况下不工作。
尊敬的 Li：
OCP 阈值可能很小、因此某些 DRV8145芯片的阈值可能不是16A：
我仔细看了一下您提供的第一个捕获、VM (CH3)似乎有一个较大的下降：
如果我正确地读取示波器捕获数据、这个压降将从~13.4V 下降~18V、这将使 VM 它进入<-1V 区域。 如果正确、则由于 VM 上存在如此大的负电压、器件可能会损坏、这将制动一些内部结构并可能导致 VM 短路、从而导致 VM 引脚烧毁。
此致、
约书亚
在最新测试中(芯片烧毁)未观察到 Vm<-1V、如 上面的示波器捕获所示。
我想知道高侧的电流检测电阻器是否具有与高侧 FET 相同的电流容量？
