[参考译文] DRV8872-Q1：漏电流

尊敬的 Xiaowei：

请允许我花些时间来研究这个问题。 我的目标是在明天之前作出答复。

此致、

约书亚

你好、Joshua：

在这种情况下、MCU 处于睡眠模式且没有电源、因此 IN1和 IN2为低电平。
您能举个例子来说明"用于将 FET 保持在关断状态的强下拉电流。"？

此致、

Xiaowei Zhang

尊敬的 Xiaowei：

我需要联系 我们的内部团队、更好地解释这条泄漏路径。 我打算在星期三之前提供最新情况。

此致、

约书亚

你好、Joshua：

您能否更新最新状态？ 谢谢你

此致、

Xiaowei Zhang

大家好、张晓伟、

我仍然在和我们的系统团队一起努力、想办法解决这一问题。 遗憾的是、该器件相对较旧、因此很难找到有关器件内部结构的信息。 我已经联系了我们的设计团队、应该在两天内得到解答。

此致、

约书亚

你好、Joshua：

您是否获得了设计团队的更新？

此致、

Xiaowei Zhang

尊敬的 Xiaowei：

我还没有从设计中收到反馈。 我今天给他们发了电话、所以明天我应该再听。

此致、

约书亚

你好、Joshua：

泄漏电流能否消除？ 如果没有、您能否推荐没有此泄漏电流的类似器件？  

此致、

Xiaowei Zhang

尊敬的 Xiaowei：

您能否告诉我客户他们预期的最大电流、标称电流、最大电压、标称电压以及他们将要驱动的负载数量？ 通过这些信息、我可以了解哪种器件最适合客户的应用。

此致、

约书亚

你好、Joshua：

负载是 SOV、工作电压是9-16V、最大电流是1.2A、我们希望芯片处于禁用状态时漏电流小于100uA。

此致、

Xiaowei Zhang

尊敬的 Xiaowei：

我会研究这个问题、明天我会再跟你谈谈。

此致、

约书亚