请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：DRV8706-Q1 工具/软件：
我使用上面的芯片来驱动一个相当标准的 H 桥、但我看到、当我沿任一方向驱动小负载时、只有高侧 FET 才会产生难以置信的热量。 这似乎是由栅极上相对于源极的高侧电压不足引起的。 我在 PVDD 处以+15VDC 为器件供电、在低侧栅极上看到大约15V 的电压。 高侧栅极上的电压、相对于源极、我看到电压超过2伏。 只要我能够测量电荷泵电压、电荷泵电压看起来就很好、我分别使用了数据表中建议的电荷泵电容器0.1uF 值和1uF 值。
值得注意的是、我使用的是芯片的纯硬件版本、并以100%占空比运行、数据表中指出这是可以接受的。
这是导通时高侧栅极相对于源极的示波器屏幕截图：
原理图：
模式：
什么是我的缺失?
谢谢！
Kyle
