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器件型号:DRV8300 工具/软件:
您好的团队、
与引用的问题类似、客户希望使用5V 作为 GVDD。
但内部自举二极管的压降约为0.7V、但 Vbstuv 最大值为4.8V 使用5V 作为 GVDD 是否正常?
这与原始线程不同、因为过去的问题讨论的是瞬态问题。 这是稳定的情况。
此致、
Hayashi
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工具/软件:
您好的团队、
与引用的问题类似、客户希望使用5V 作为 GVDD。
但内部自举二极管的压降约为0.7V、但 Vbstuv 最大值为4.8V 使用5V 作为 GVDD 是否正常?
这与原始线程不同、因为过去的问题讨论的是瞬态问题。 这是稳定的情况。
此致、
Hayashi
嗨、Hiyashi、
很抱歉耽误你的时间。
我不会在5V 时使用 GVDD。 如果可能、我会为 GVDD 使用10V 至12V。
如您所述、使用如此低的 GVDD 电压时、VBSTuv 是一个问题。 根据数据表中的公式部分9.2.2、如果使用5V GVDD、由于 VbootD 上的压降、您将收到 VBSTuv 故障。
我同意这可能会造成误导、虽然器件在5V GVDD 上"运行"、但它会遇到问题、甚至可能无法在如此低的 GVDD 上驱动 FET。 因此、我建议使用更高的 GVDD 值、这样 GVDDuv 和 VBSTuv 就不会是问题。
谢谢您、
Joseph