[参考译文] DRV8353：电荷泵

您好、Brian、

您能否提供所用 MOSFET 的数据表？  

我还想知道在换向过程中有多少个 FET 开关？ (梯形或 FOC 换向)。

利用这些信息、我应该能够为您计算关于 DRV8353的这个值

谢谢您、

Joseph

您好、Joseph

MOSFET 是 Infineon IPTC014N08NM5。 我们在 FOC 换向期间每相使用了两个 MOSFET。

波形是在零序列下测量的。 这意味着 DRV8353同时驱动六个 MOSFET。

我们会发现 Vgs 不是完美的方波。

所以,我们想知道  

a. VDRAIN 和 VCP 之间的电容会增加到4.7uF 或更大。 DRV8353是否正常

B.   CPH 和 CPL 之间的电容、我们增加到100nF 或470nF。 希望改进 VGS、但没有帮助(只需缩短开关时间)。 是否 有利于增加电容？

C.根据我们的情况,DRV8353 120°C、没关系吗？

d.关于零序列时的 VGLS、电压具有三伏压降、并且 VGS 接近方波(VGS =10.5V)。 可以 通过增加 VGLS 外部电容来减少压降。

顺祝商祺！

Bevis Lin

尊敬的 Bevis：

我们始终建议使用数据表中所述的 VCP 和 CPH CPL 电容值。  

我认为不完美的方波是由您的 VCP 的突降引起的。  

您能否检查电压波形是否也会在 Vdrain 中发生骤降？  

在您的电路板上、VCP、CPH、CPL 电容器是否放置在器件附近？

谢谢您、

Joseph

您好、Joseph：

Vdrain 的骤降不会像 VCP 那样发生。  

关于 VCP、CPH、CPL 电容器、这些电容器放置在 SGD 附近。

我们还检查 VGLS、它也发生了骤降。 VGLS 电容器为1uF。

因此、我们想添加电容器来减少电压骤降。

以下波形显示、将 VCP 电容器调整为4.7uF、将 VGLS 电容器调整为4.7uF 是解决该问题的好方法。

请告诉我们风险是什么。

您好、Joseph：

Vdrain 的骤降不会像 VCP 那样发生。  

关于 VCP、CPH、CPL 电容器、这些电容器放置在 SGD 附近。

我们还检查 VGLS、它也发生了骤降。 VGLS 电容器为1uF。

因此、我们想添加电容器来减少电压骤降。

以下波形显示、将 VCP 电容器调整为4.7uF、将 VGLS 电容器调整为4.7uF 是解决该问题的好方法。

请告诉我们风险是什么。