《Thread 中讨论的其他器件:DRV8703-Q1、
工具/软件:
您好、团队、
1.对于 DRV8705-Q1、我们能否提供与 DRV8703-Q1数据表中所述相似的以下外部门推荐内容? 例如、建议的最大 PWM 频率和最大 Q 值。
2. 我是否可以知道在16kHz 频率下且 IDRIVE 设置为4级时、外部 MOSFET 是否有建议的 Qg 和 Qgd 值?
谢谢。
此致、
常春藤
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工具/软件:
您好、团队、
1.对于 DRV8705-Q1、我们能否提供与 DRV8703-Q1数据表中所述相似的以下外部门推荐内容? 例如、建议的最大 PWM 频率和最大 Q 值。
2. 我是否可以知道在16kHz 频率下且 IDRIVE 设置为4级时、外部 MOSFET 是否有建议的 Qg 和 Qgd 值?
谢谢。
此致、
常春藤
尊敬的 Ivy:
DRV8705-Q1是新一代产品、可被 DRV8703-Q1取代。 DRV8705-Q1在近5年前发布。 客户最好考虑将 DRV8705-Q1用于新设计。
1) DRV8703-Q1的旧数据表没有该器件。
2) 16KHz 是相当正常的用例。 通常情况下是汽车电机驱动器情况、外部 FET Qg ~100nC 范围。 客户应检查工作台以设置最终 IDRIVE、但通常~8 -16mA 设置就足够好、但 DRV9705-Q1可以支持高达62mA 的电压。
此致
Shinya
尊敬的 Shinya:
感谢您的建议。
根据您的建议、客户选择了16kHz、70%占空比 PWM 来控制外部 MOSFET、MOSFET 为 BUK7Y2R0-40H、Qg 参数如下图所示。 最大值为90.5nC、小于100nC。
DRV8705H 的 IDRIVE 设置为4级(12 -20mA;类型为16mA)。 在实际测试中、客户发现开关损耗占总损耗的50%、导致 MOSFET 温升过高。
根据此测试结果、您能否帮助为外部 MOSFET 推荐更合适的 Qg 和 Qgd 值、或为外部 MOSFET 推荐合适的驱动器电路?
非常感谢!
此致、
常春藤
尊敬的 Shinya:
我发布了一个新的内部 E2E、谢谢。
DRV8705-Q1:DRV8705-Q1:外部门-电机驱动器-内部论坛-电机驱动器-内部- TI E2E 支持论坛
此致、
常春藤