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我们在一个产品中使用了具有 DMOS 全桥的步进电机驱动器。 我们偶尔会有终端客户缺陷、因为 MOSFET 中的二极管不足以保护驱动器。 必须在外部安装额外的 TVS 二极管才能控制问题。
我从未在评估板或任何其他 DRV8434S 设计上看到过外部 TVS 二极管。 您会推荐他们、还是可以根据您的经验将他们排除在外？ 步进电机用于消耗小于1A 的电流、并在当前产品中以12V 电压运行。
非常感谢您的支持。
尊敬的 Roman：
感谢您的提问。
一般来说、除非外部高压冲击(例如预期的 ESD 冲击)、否则 DRV8434S 或类似步进驱动器的输出端不需要外部 TVS 二极管。 由于在切换线圈的电感反冲期间发生内部操作、因此 xOUTx 引脚上的电压将推至高于 VM 电源轨或低于 GND 电源轨。 请参阅下面的绝对最大值 绝对最大额定值。 体二极管通常将电压偏移保持在二极管压降范围内、或者大约1V 或更低。 如果 VM 上的大容量电容器不足或电源未吸收反向电压驱动的电流、xOUTx 可能会高于额定绝对最大值 限制和损坏或削弱器件。 这也可能发生在高电感步进电机上。 在高电感步进器和大于1A 的电流设置下、可能需要安装快速低 VF 肖特基二极管-其中四个二极管与每个 FET (体二极管)并联。
您可以捕获四通道 xOUTx 电压波形、并在转换期间检查这些波形是否存在偏移、并决定是否需要肖特基保护或其他形式的保护。 体二极管的额定电流和电压与 FET 相同、符合器件的绝对最大值 上升时间。
在靠近 PCBA 上电机连接器的 xOUTx 和 GND 上安装4个4.7nF 至47nF 电容器、分别安装一个。这也有助于解决 ESD 问题、而不是 TVS 问题。 我们所有的步进驱动器 EVM (包括 DRV8434S)都具有可容纳这些电容器的 DNP 封装。
此致、Murugavel
