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器件型号：DRV8343S-Q1EVM 工具/软件：
尊敬的 TI 支持团队：
TI 文档中的参考图像： slva714d
我们目前正在电机控制应用中使用 DRV8343S 智能栅极驱动器、并在栅极信号调节方面做了一些技术说明。
鉴于 DRV8343S 是智能栅极驱动器、我们想了解是否需要从外部添加 RSOURCE 、 RSINK 、和 RPULLDOWN 电阻器、用于调整栅极驱动器输出和 MOSFET 栅极之间的阻抗。 在数据表提供的内部方框图中、我们没有在 GH-x/SH-x 和 GL-x/SL-x 引脚上观察到任何内部电阻器或二极管。
此外、我们还注意到、许多定制应用电路在栅源连接处包括分立式栅极驱动电路(例如串联和下拉电阻器或二极管)、大概有助于调整栅极驱动特性和抑制 EMI/振铃。
在我们的电流实现中、我们仅使用了串联电阻器来控制栅极驱动电流。 您能否确认这种最小配置是否足够、或者添加上述分立式元件是否有助于在验证期间微调系统、尤其是用于 EMI 缓解或振铃控制？
我们设计中使用的功率 MOSFET 是 SQJ150EP。
感谢您为帮助优化我们的设计提供的指导。
此致、
Jacob
