[参考译文] DRV8353RS-EVM：采用 CSD19532Q5B 的 DRV8353RS 的栅极驱动电流优化和死区时间设置

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1523293/drv8353rs-evm-gate-drive-current-optimization-and-dead-time-settings-for-drv8353rs-with-csd19532q5b

器件型号：DRV8353RS-EVM
主题中讨论的其他器件：CSD19532Q5B

工具/软件：

您好、

目前、我们正在使用 DRV8353RS 评估 BLDC 电机驱动器设计。我们想请求您提供有关栅极驱动电流设置的输入、特别是与栅极驱动 HS 和 LS 寄存器(地址03h 和04h)相关的设置。

在我们的评估中、我们观察到上电后使用默认寄存器设置(HS = 1000mA、LS = 2000mA)在 TI 评估板上运行良好。但是、在我们的第一个原型板上、电机在相同条件下表现出不稳定行为。

经调查后、我们发现将栅极驱动 HS/LS 设置降低到100mA / 200mA 可以解决该问题。进一步分析表明、我们使用的外部 FET (CSD19532Q5B)的典型栅极电荷(Qg)为8.7nC、根据这一点、开关时间为100-300ns 时所需的栅极电流估计约为30–87mA。因此、我们认为50mA / 100mA 等设置处于适当的范围内。
有关详细的波形信息、请参阅下面的 PDF。
e2e.ti.com/.../Custom-PCB-Waveform-Information.pdf

虽然我们的测试支持此调整、但我们希望您提供以下几点反馈：

使用 CSD19532Q5B (Qg = 8.7nC)等 FET 时、假设目标上升/下降时间为100–300ns、将栅极驱动 HS/LS 电流配置为大概50–100mA 通常是否可以接受？
如果驱动电流降低得过大、我们应该谨慎一些不利影响(例如开关损耗增加、击穿风险等)？
死区时间当前设置为 TI 示例软件提供的默认值400ns。鉴于智能栅极驱动器的特性(例如 VGS 握手和自动最小死区时间插入)、是否可以假定即使栅极电流降低、也不需要调整死区时间？

此致、

Conor

3 个月前

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2342150 points

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嗨、Connor、

很棒的问题！

我们有以下有关选择正确 Idrive 设置的常见问题解答：

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/796378/faq-selecting-the-best-idrive-setting-and-why-this-is-essential

1)您是对的、不建议从最大的 Idrive 设置开始、而是应根据 MOSFET 的 Qgd 和 VDS 压摆所需的导通/关断时间计算得出。 50 -100mA 应该是一个很好的起点

2)是的、降低栅极电流的挑战在于开关损耗的增加。器件具有内置的击穿保护功能。

3)您可以根据所看到的栅极 H 和栅极 L 开关之间的重叠量来调整死区时间。例如、如果存在高速开关(较大的 IDRIVE、布局问题)、并且 HS 和 LS 之间存在无源耦合、则增加死区时间有助于消除击穿机会。

我建议使用计算出的100-300ns 上升/下降 IDRIVE 值、然后收集所有三个相位的栅极和源波形、以查看开关期间是否存在绝对最大值违规风险(过冲、下冲、耦合等)。如果一切看起来都很棒,你可以尝试稍微增加 idrive 并在最坏的工作条件下测试相同的(高负载,极端温度),然后决定一个 idrive 设置。

如果您对该主题还有任何其他问题、请告诉我。

此致、
Akshay

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2342150 points

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