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[参考译文] DRV8262:DRV8262

Guru**** 2347070 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8145-Q1, DRV8262, DRV8245-Q1, DRV8262-Q1, DRV8144-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1520949/drv8262-drv8262

器件型号:DRV8262
Thread 中讨论的其他器件: DRV8245-Q1DRV8144-Q1、DRV8145-Q1

工具/软件:

您好、  

我对电机驱动器 IC 很陌生、听说过 DRV8262 H 桥驱动器。  

我的应用非常简单、就像有刷直流电机、我需要 1 个单全桥驱动器或 2 个半桥驱动器。  

而不是由 PWM 控制、而是由正电压或负电压控制。 它就像打开一段时间、关闭一段时间、但不经常切换。

最大电流消耗约为~7A DC。我很久以前使用过一款 TI 栅极驱动器、带有外部 MOSFET、因此只要根据 SOA 考虑晶体管本身的热性能、我就不必担心热管理。  

现在、我尝试使用 TI 的这些专用有刷直流电机驱动器、遇到了这个特定器件型号。 双模或使用两个模块来驱动电机。  

如何确保此芯片能够与我绘制的芯片数量保持一致? 峰值电流处理的问题。 直流电流如何?  

谢谢  

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    您好 Samuel、

    确定集成式 FET 器件是否可以满足您的应用电流要求时、需要考虑两个因素:

    1. 最小额定 OCP 阈值
    2. 在考虑您的要求的情况下计算预期的散热

    对于 OCP、该器件在双半桥模式下的额定电流为 8A、在单半桥模式下的额定电流为 16A。

    只要最大负载电流低于 OCP。 OCP 功能不应触发故障而关断栅极驱动器。

    对于散热、我们有一份应用手册、介绍了如何计算预期的散热: https://www.ti.com/lit/an/slva504a/slva504a.pdf

    只要计算得出的温升不使器件温度高于 150°C、该器件就 应能够 在一段时间内支持该电流。

    我建议查看我们的 DRV824x-Q1 器件、例如 DRV8245-Q1 。 我们对这些器件进行了仿真、以确定器件在给定特定设置和特定 PCB 尺寸下可以处理的最大电流:

    这些 DRV824x-Q1 器件还提供了结温计算器、因此可以根据所需设置和系统要求更好地进行估算: https://www.ti.com/tool/download/SLVRBI3

    如果您需要比 DRV8245-Q1 能够满足更高的电流能力、我们还提供了 DRV814x-Q1 器件、这些器件是具有更高热性能的单半桥驱动器。

    如果您有任何其他问题、敬请告知。

    此致、

    Joshua

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    您好、Joshua、  

    感谢您的详细说明。  

    对于 DRV8262-Q1、我了解 OCP 规格。 参数是峰值电流。 RMS 或直流电流处理能力如何? 我的应用不是基于 PWM 控制、而是更像是一段时间内开启和关闭、因此需要更多的直流操作(想象一下 100%占空比)。 我的预期直流电流约为 7A。  

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    您好、

    感谢您的提问。 Joshua 明天将返回办公室。 他会在几天后与您一起提供反馈。

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    谢谢你  

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    您好 Samuel、

    我们建议查看数据表第 5.4.1 节中的瞬态热阻和电流能力表。 根据表中的信息、该器件 将在单路 H 桥模式下更适合长时间处理 7A 负载、在该模式下、它可以在触发 TSD 之前使负载运行~10 秒。 根据负载的驱动时间、此器件可能能够支持该负载。 如果您需要更高的 RMS 电流能力、我建议查看 DRV8144-Q1 或 DRV8145-Q1。

    此致、

    Joshua

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    您好、Joshua、

    再次感谢您的快速答复。

    关于瞬态热阻抗和电流能力、如您所述、我看到它可以在单路 H 桥配置下处理高达 8.4A 的电流 10 秒。 其热阻(结至环境)为 8.4C/W、持续 10 秒。 如果我根据此公式计算结温、假设环境温度为 25°C、

    TJ = Ta + RJA * Power = 25C + 8.4 * 8.4 *(50m Ω)= 29'C、远低于工作结温 Tj、150'C

    我采用 50 欧姆作为单个配置的最坏情况。 我知道您建议的其他芯片具有更好的电流能力并可以满足我的需求、但为什么我的热剂量计算表明它可以处理比表更大的电流? 我在计算中是否遗漏了一些内容?

    谢谢

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    您使用的公式缺少两个方面、即 RDSON 降额因子(不在数据表中)、并且电流需要平方。 通常、我们使用 2 作为降额因子 、但为了更加精确、我们在单半桥模式下为 DRV8262 使用 2.2。 进行 Tj 计算时应使用的公式如下:

    TJ = RJA *(Rdson *降额因子)* I^2 + Ta = 8.4 * 0.05 * 2.2 * 8.4^2 + 25 =~90'C

    该温度低于 150'C、因为数据表中的表格假定环境温度为 85'C 在环境温度为 25'C 且持续 10 秒的情况下、DRV8262 应能够支持~11.7A 的电流和~7A 的直流电流。

     此致、

    Joshua

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    我对计算的误解表示歉意、并感谢您的澄清。 我看到 DDV 封装具有更高的电流能力。 上述瞬态热阻抗表也适用于 DDV 封装吗? 如果没有、假设我要驱动 7A 的直流电流、剂量包对上述结温计算有何影响?   

    此外、根据数据表、我可以看到 I_RMS _SINGLE_DDW 功能为 10A。 如果我使用您的降额因子和公式、它看起来并不像它计算出合理的数字。 根据您的计算、它只能处理大约 7A 的直流电流。 为什么不是 10A?  

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    上述瞬态热阻抗表是否也适用于 DDV 封装?

    瞬态表主要针对器件的内部温度、而忽略了 PCB 或热同步等外部连接产生的热耗散、这将影响器件可支持的最大电流。 对于 DDV 封装、您仍然可以使用上表、但连接散热器后、DRV8262 可驱动的电流将更高。

    此外、根据数据表、我还看到 I_RMS _SINGLE_DDW 功能为 10A。 [/报价]

    我将了解为什么在单半桥模式下将 10A 确定为建议的最大电流。

    此致、

    Joshua

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    数据表下表的注释部分说明考虑了 4 层 PCB  

    此外、我意识到 DRV8262 没有任何 SPICE 模型。 我可以申请一个吗? 或者是否有任何类似器件具有类似的 SPICE 模型?  

    谢谢  

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    抱歉、我重点介绍了我提供的公式、忘记了表中提供的 R_Δ θJA。 该瞬态表无法提供 DDV 封装的准确结果。

    如果没有、假设我要驱动 7A 的直流电流、剂量包如何影响上述结温计算?   [/报价]

    公式的更改将取决于所用散热器的热阻。 此信息可在数据表的第 7.1.1.4 节中找到。

    I 意识到 DRV8262 没有任何 SPICE 模型。 我可以申请一个吗? 或者是否有任何类似器件具有类似的 SPICE 模型?  [/报价]

    让我检查一下、我的目标是在下一个星期二之前与您联系 。

    此致、

    Joshua

    [/quote]
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    谢谢。 如果您仍然能为我提供有关 10A 电流能力的答案、那将会很棒  

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    你好 Joshua、如果你本周有任何更新、请告诉我! 我会等待你的答复:) 谢谢  

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    您好、Sam、

    感谢您的耐心。  

    I 意识到 DRV8262 没有任何 SPICE 模型。 我可以申请一个吗? 或者是否有任何类似器件具有类似的 SPICE 模型?  [/报价]

    我在为较新的器件创建 SPICE 模型时进行了检查、这是我们不再为电机驱动器器件提供的功能。 主要原因是、由于集成度高、因而器件 SPICE 模型无法准确表示器件功能、这给模型带来了很大的复杂性。

    它看起来不像它计算合理的数字。 根据您的计算、它只能处理大约 7A 的直流电流。 为什么不是 10A?  [/报价]

    10A θJA 来自一个不基于仿真的估算值、而瞬态表中的 R_Δ R 值来自仿真值、因此瞬态表将更加准确。  我们已经开始在我们的新数据表中包含瞬态热阻抗表、以便为用户更好地估算器件电流能力、并在决定包含瞬态表时发布 DRV8262。 为了更清晰起见、DRV8262 在制作瞬态表之前发布、因此 10A 更多地基于营销和系统团队所做的公式。 当 DRV8262-Q1 发布时、绘制了瞬态表、然后将该表添加到 DRV8262 数据表中。

    基本上、我建议参考瞬态热阻抗表、以便更准确地指导器件电流能力与建议运行条件表中给出的值之间的关系。

    此致、

    Joshua

    [/quote]