Thread 中讨论的其他器件: DRV8378、 DRV8374、MSPM0G3507 、DRV8316、DRV8311、 DRV8317
工具/软件:
你(们)好
DRV837x 系列 (DRV8374 和 DRV8378) 的新成员是否会与 DRV8376 中的 SPI 寄存器具有相同的结构?
此致
zbyno
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
工具/软件:
你(们)好
DRV837x 系列 (DRV8374 和 DRV8378) 的新成员是否会与 DRV8376 中的 SPI 寄存器具有相同的结构?
此致
zbyno
尊敬的 Zbyno:
您可以查看下面链接中的集成 MOSFET (DRV83xx) 的产品页面。 其中包括您可能要查找的有关数据表、器件功能和额定功率的信息。
DRV8311: https://www.ti.com/product/DRV8311
DRV8316: https://www.ti.com/product/DRV8316
DRV8317: https://www.ti.com/product/DRV8317
谢谢您、
Joseph
尊敬的 Zbyno:
我理解您的问题、
我之前在某些 EVM 的输出端使用了铁氧体、没有任何问题。 但是、这在一定程度上取决于系统。
它可能会提高 EMC、但需要对您的应用程序进行测试以进行确认。
我认为没有必要使用肖特基二极管。
我的问题是、您是否了解过有关 DRV8316 测试中提示您在输出端使用这些铁氧体的 EMI 量? 我看不出在大多数应用中这些都是必要的。
谢谢、
Joseph
您好、Joseph:
我想测试何时需要像我在工程中使用的那样使用输出滤波器:
https://www.researchgate.net/publication/342522062_Board_MP6540H_for_Nucleo64_G431a
此致
zbyno