[参考译文] DRV8214EVM：目标电压和软启动 (SS) 问题

你（们）好

感谢您的提问。 我们的专家将在一两天内为您提供反馈。

您好  Iñaki、

1.由于 内部设计原因、DRV8214 能够处理高达 15.7V 的电压。 我们确认总体位功能已降低、但我们不保证其性能超过 11V 和 12V 绝对最大值  

2.如有可能,请提供输入和输出信号的浪涌电流示波器捕获。 您所需的 tINRUSH 是多少？ tINRUSH = TINRUSH 位设置 x WSET_VSET。  

TINRUSH 和 WSET_VSET 位设置是什么？

此致、

David

您好、David：  

1.但是,数据表是错误的,对吧? 我来解释一下：
如果 要配置 11V 的电压、我们必须将寄存器 WSET_VSET 写入 0xFF（软件以这种方式执行）。 配置 1100mV 时、寄存器采用 0xFF 值）、则最大可配置电压为 11V、而不是 15、7V。
然后、数据表中的值应更改：0V = 0、11V = 255。 WSET_VSET 分辨率= 43、13mV/位。 WSET_VSET 公式：WSET_VSET =目标输出电压 x (255/11)。

2.是的,请在软件中找到示波器屏幕截图和配置值:

在此处您可以看到有一个大约 100ms 的软启动斜坡。


您可以在此处看到寄存器映射值。

这里是我在软件中配置的 10ms 软启动。

我认为有一些我可能无法理解的东西。 希望这些信息有助于澄清我的问题。

谢谢。

您好  Iñaki、

请允许我在几天内与系统团队一起审查。  

此致、

David

您好  Iñaki、

没问题。  感谢您的耐心。 我应该在一天结束前得到回应。  

此致、

David

好的、大卫！
我期待得到答案。
感谢您的更新。

您好  Iñaki、  

1.感谢您的关注。 我们必须在内部讨论、讨论解决 GUI 修复或数据表更改的后续步骤。  

2.102.4us 应该是浪涌时间的增量、但我想明天在实验中确认 GUI 上的寄存器设置。

您是否能够成功获得 tINRUSH 时间= 10ms、如果是、寄存器设置是什么？

此致、

David

您好、David：

1.请让我随时了解解决方案。 谢谢你。

2.是的。 如我发送的屏幕截图所示、在软件中配置 10ms 时、寄存器取值 0x62 = 98。 因此、98*102、4us = 10ms。 但是、如果使用示波器进行检查、SS 不是 10ms。
此外、数据表显示“tINRUSH = TINRUSH 位设置 x WSET_VSET“。  
这是我不清楚的事,这就是为什么我想澄清它。
我还没有尝试获得 10ms 的 tINRUSH 、因为我不知道必须遵循的逻辑才能获得它。

谢谢您、

您好：

此器件的系统工程师将于明天联系您以获取进一步说明。  

此致、

David

您好、  
是否有任何更新？ 没有人伸出手。

谢谢、

您好、  

我将在今天的一天结束前作出答复。 感谢您的耐心等待。  

此致、
Karan

好的

您好、  

我很抱歉不能回答。 请让我到明天结束时提出最后的答复。 感谢您的耐心等待。  

此致、
Karan

好的 Karan。 不用担心。

您好  Iñaki、  

我假设你在第一部分是 15.7V 是最大值.

对于软启动、解释很棘手、因此请耐心倾听。 数据表说明并不准确、将在下一个修订版中修复。 T_Inrush 有两种不同的情况。 1、启用软启动时。 另一种是未启用软启动时。 请注意、如果不进行速度/电压调节、您将无法启用软启动。 此外、TINRUSH 位为 16 位

1.未启用软启动时（速度/电压调节可能已激活，也可能未激活）

每个 TINRUSH 位增量都对应于 102.4us、偏移量为 5.0176ms (5017.6us)。

• 这意味着、TINRUSH = 0 对应于 5017.6us 的浪涌时间。
• TINRUSH = 1 对应于 5017.6+102.4=5120us 浪涌时间。
• 同样、TINRUSH = 10 对应于 6041.6us

2.启用软启动时（在这种情况下，速度调节/电压调节处于活动状态）  

这不那么简单。 在这种情况下、TINRUSH 位对应于阶跃大小、乘以 WSET_VSET 寄存器以得出总浪涌时间。 TINRUSH 寄存器的每个位增量都对应于 12.8us。 偏移也为 12.8us。

• 因此、TINRUSH = 0 对应于 12.8us。
• TINRUSH = 1 对应于  25.6us。
• TINRUSH = 2 对应于 38.4us。
• TINRUSH = 10 对应于 140.8us。  

只需将阶跃大小的 TINRUSH 时间（基于 TINRUSH 寄存器设置）乘以 WSET_VSET 位设置、即可计算总浪涌时间。  
例如、如果 WSET_VSET = 100 (0x64)、则 TINRUSH = 200 (0xC8)、则

总浪涌时间= 12.8（偏移）+ 100*200*12.8 = 256012.8us = 256.0128ms。  

我希望这可以解决任何问题。 在您的情况下、能否说明软启动是启用还是禁用？  

此致、  
Karan

尊敬的 Karan：

我很抱歉、您的答案对我来说都没有意义。


首先 : 我假设你在第一部分是 15.7V 是最大值是可以的。
你怎么能告诉我,如果我只是说相反的第一部分 15.7V 最大值? 我假设数据表错误、我说过最大值为 11V、而不是 15.7V。 （否则，软件是出错的软件）。
请查看我之前（21 天前）发送的答案。
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1. 但是,数据表是错误的,对吧? 我来解释一下：
如果 要配置 11V 的电压、我们必须将寄存器 WSET_VSET 写入 0xFF （软件以这种方式工作。 配置 1100mV 时、寄存器使用 0xFF 值） 、则最大可配置电压为 11V、而不是 157V。
然后、数据表中的值应更改： 0V = 0、11V = 255。 WSET_VSET 分辨率= 43、13mV/位。 WSET_VSET 公式：WSET_VSET =目标输出电压 x (255/11)。


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秒 ： 在您的情况下、您能否说明是否启用或禁用了软启动？  
在 我发送的前一个答复中、 可以清楚地看到两件事：
1.示波器屏幕截图显示了软启动（这阐明了我们启用了软启动）和
2.在软件中配置 10ms SS 时的寄存器值（还显示了启用 SS 的软件屏幕截图）。  启用软启动
是的、我们使用电压/速度控制来实现软启动功能、如示波器屏幕截图所示。

因此、根据您的答案、应使用以下公式：
总浪涌时间= 12.8（偏移）+ WSET_VSET*TINRUSH*12.8  
这应该是由我的寄存器值得出的结果：
总浪涌时间= 12.8（偏移）+ WSET_VSET*TINRUSH*12.8 = 12.8（偏移）+ 139*98*12.8 = 174374.4us = 174.37ms。

如您在示波器屏幕截图中所示、我的软启动时间约为 100ms（距离通过公式获得的 174ms 很远）、因此我想仍然存在更多错误。 或者公式仍然错误、或者软件使用的公式不正确。

请查看我之前发送的答案（21 天前）。

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在此处您可以看到有一个大约 100ms 的软启动斜坡。


您可以在此处看到寄存器映射值。

这里是我在软件中配置的 10ms 软启动。
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我想,对于第一个问题,你必须澄清:
-如果软件做的是错误的或
-如果数据表是错误的。


对于第二个问题、您可以使用 Eval 进行检查。 电路板配置与我相同的值、检查寄存器值和示波器捕获。

请您只说明这两点吗？  
谢谢！

您好：

我在实验室中进行了一些测试、能够将软启动配置为 10ms。 我注意到当 CONFIG1=0x62 时 、我在大约 13.5ms 内看到了这条曲线。 当我设置 CONFIG1=0x44 时、我能够调整到更接近 10ms。

我还注意到、直接更改寄存器似乎不会更新仪表板页面上的软启动时间、但会改变实际的浪涌时间。 在仪表板上更改时间确实会改变寄存器值、但反之则不行。 在配置浪涌时间时、WSET_VSET 值没有影响。  

需要更新数据表。 感谢您提请我们注意这一点。   

此致、

David

您好、David：

然后、我想前面的公式也不好、对吧？
假设目前不建议使用电压控制和软启动、直到其固定。

生成新数据表版本时是否可以收到通知？

谢谢、

尊敬的 Inaki：  

我们在内部关闭后再联系您。 数据表确实需要修正、但我之前提供的公式是准确的。 我们可能必须修复 GUI 才能包含此内容。  

此致、  
Karan