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您好团队：
我将设计一个功率等级为 12W 的直流电机的电机驱动器、输入是 12V 系统。 我认为 DRV8876 是驱动器 IC、我遵循了数据表中给出的参考文献。 除了内置保护技术外、我还想在负载侧介绍一些保护技术（使用一些电容器，二极管）。 遗憾的是、我的驱动电路将远离电机 、并且使用长导线建立连接。 是否有任何用于负载保护的推荐技术？ 由于存在长导线 (1m)、因此导线瞬变会产生一些影响。
谢谢你。
此致、
Jishnu
尊敬的 Jishnu：
感谢您在这个论坛上发帖。
我想在负载侧介绍一些保护技术（使用一些电容器，二极管）。 遗憾的是、我的驱动电路将远离电机 、并且使用长导线建立连接。 是否有任何用于负载保护的推荐技术？ 由于存在长导线 (1m)、因此导线瞬态会产生一些影响。[/报价]这是一个合理的问题。 这种长导线具有寄生电感、可能会影响 OUT1 和 OUT2 处的行为。 如下图所示、TVS 二极管的额定电压可能略高于 VM 电源电压、以防止出现电压尖峰。 或者、您也可以添加四个外部肖特基二极管、每个二极管与 H 桥中每个 FET 的体二极管并联。 通常、电机本身上的电容器将有助于降低由于电刷换向尖峰以及 PCB 上电机连接点附近的两个电容器导致的 EMI。 TVS 也会更靠近 PCB 上的电机连接点。 在某些情况下、仅使用电容器可能就足以缓解尖峰。
此致、Murugavel
尊敬的 Jishnu：
很高兴我的前一个答案是有帮助的。 请将此主题标记为已解决。
我想了解更多关于 schottkey 网络的信息。 如果可能、请分享与肖特基网络规模相关的任何文档。
这不是特殊的肖特基网络。 每个肖特基二极管应与 MOSFET 体二极管并联 — 请参阅下面显示四个体二极管的方框图。 在尺寸方面、它们必须具有 40V 的器件绝对最大 VM 电压额定值、并且必须能够支持峰值负载电流（例如，一般准则是 BDC 电机启动浪涌电流）。 谢谢你。
此致、Murugavel
