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[参考译文] DRV8962:慢速衰减和快速衰减

Guru**** 2517650 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8962EVM

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1549866/drv8962-slow-decay-versus-fast-decay

器件型号:DRV8962


工具/软件:

您好、  

*不一定是“电机驱动器论坛“,但此选项是强制的。*

对 DRV8962DDVR 的数据表中的问题。 第 7.4 节介绍了快速衰减和慢速衰减模式。 本文提到、在快速衰减模式下、输出关断且电流通过体二极管再循环;在慢速衰减模式下、低侧 FET 导通并主动对输出进行短路。 这些的定义是切换的还是正确的?  对输出短路的速度可能不会最快。  

此外、我的以下理解是否正确?

该芯片可用作全开/关开/漏输出(高侧 FET 禁用)、所有开/关开/源输出(低侧 FET 禁用)或高侧和低侧 FET 交替开启和关闭的 PWM 模式? 根据 in/en/等选择这 3 种模式之一 设置? 它可以在这些模式中的任何一种模式下运行是否正确?  

谢谢、

标记

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    您好:Mark、

    感谢您的问题。

    有关 DRV8962DDVR 数据表的问题。 第 7.4 节介绍了快速衰减和慢速衰减模式。 本文提到、在快速衰减模式下、输出关断且电流通过体二极管再循环;在慢速衰减模式下、低侧 FET 导通并主动对输出进行短路。 这些的定义是切换的还是正确的?  对输出短路的速度可能不会最快。  [/报价]

    在 BDC 电机驱动中使用“快速衰减“一词与驱动步进电机或螺线管负载的情况不同。 对于 BDC 电机、“快速衰减“是指电机滑行。  我更喜欢使用术语“滑行“来描述这种驱动条件、这消除了歧义。  “滑行“衰减比慢速衰减快、具体取决于电机、它可能略快或明显快。 请参阅以下有关 48V BDC 电机和 DRV8962EVM 的捕获结果。 基准白电流波形的 EN1 作为 PWM 输入、占空比为 50%、IN1 = 1。 蓝色电流波形的 IN1 是 PWM 输入 、占空比为 50%、EN1 = 1。 您可以看到、白色迹线中电流衰减的下降斜率稍快。 对于 BDC 电机转速调节、建议使用慢速衰减。  不建议使用滑行模式/快速衰减。 对于某些 BDC 电机、在 PWM 关闭期间滑行时速度调节无法正常工作。    

    数据表中的定义正确。  

    在真实意义上、“快速衰减“一词与短时间内的电桥方向反转相关、以快速衰减线圈电流、然后继续进行“慢速衰减“、这意味着再循环电流流经两个 LS-FET(或两个 HS-FET)、具体取决于全桥的配置方式。 该方案最常与步进电机配合使用、用于在短时间内进行恒定线圈电流调节、或与螺线管一起用于快速衰减其磁场。  

    该芯片可用作全开/关开/漏输出(高侧 FET 禁用)、所有开/关开/源输出(低侧 FET 禁用)或高侧和低侧 FET 交替开启和关闭的 PWM 模式? 根据 in/en/等选择这 3 种模式之一 设置? 它可以在这些模式中的任何一种模式下运行是否正确?  [/报价]

    是的、您可以通过这种方式查看控制逻辑。

    当 ENx = 0 时、HS-FET 和 LS-FET 均关闭、从而使 OUTx 处于高阻态。 当 ENx =1 时、INx 输入将允许 HS 和 LS FET 交替导通/关断。 当 INx 由 PWM 驱动时、输出 FET 交替导通和关断。 当 ENx 由 PWM 驱动时、您可以 在 INx = 1 时通过开源输出在 HS-FET 导通和高阻态之间切换、或者在 INx = 0 时通过开漏输出在 LS-FET 导通和高阻态之间切换输出。 谢谢你。

    此致、Murugavel    

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    您好 Murugavel、  

    感谢您的答复。 我遵循了您所说的大部分内容(这在使用 2 个通道形成一个全 H 桥来控制电机并能够反转负载极性时更有意义)、但仍然略微感到困惑、所以让我问一下:

    在仅使用单通道作为半 H 桥的情况下、通过 PWM 控制螺线管、如下所示:

    如果我希望低侧 FET 在“关闭“周期内导通、以便再循环电流不必流回低侧 FET 的体二极管、那么这将使用第 7.4 节中定义的“慢速衰减“模式、正确吗? 螺线管可能有单独的反激二极管、也可能没有单独的反激二极管。  

    谢谢、

    标记

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    您好:Mark、

    如果我希望低侧 FET 在“关闭“周期内导通、以便再循环电流不必流回低侧 FET 的体二极管、那么这将使用第 7.4 节中定义的“慢速衰减“模式、正确吗? 螺线管可能有单独的反激二极管、也可能没有单独的反激二极管。  [/报价]

    是的、正确。 您需要使用 INx 作为 PWM 输入、ENx = 1、因此在 PWM 输入关断期间、LS-FET 导通、为再循环电流提供低阻抗路径。  但是、这一差距将非常小。 死区时间将为 300ns、以避免在 HS_FET 关断和 LS-FET 导通之间转换期间 FET 击穿电流损坏。 在此 300ns 期间、如果与体二极管(例如肖特基二极管)相比、再循环电流路径的 VF 更低、则会通过 LS-FET 的体二极管或外部反激二极管、这些路径有时会与螺线管本身集成。   

    此致、Murugavel