[参考译文] DRV8244-Q1：使用 DRV8244 和 TVS2700 实现快速场衰减

尊敬的 Brad：

1. 您能提供 这个电路板原理图吗？ 我想查看连接到 DRV8244-Q1 的任何内容。
2. 在此应用中、螺线管的驱动时间是多长？

最初认为、热关断 激活后流经体 FET 二极管的电流过高、此时器件已损坏、但需要进行更多分析以确保情况属实。

此致、

Joshua

e2e.ti.com/.../sample_5F00_schematic.pdf

以下是连接元件的原理图、螺线管在 20ms 内被驱动为高电平、35ms 内被驱动为低电平。 流经体二极管的电流过高、导致过热对我来说是合理的、我认为在电流充分衰减之前、主动反向驱动螺线管应该可用于修复、而无需更改电路。 这听起来合理吗？

谢谢、

Brad

尊敬的 Brad：

在您驱动螺线管时、该器件实际上应该能够处理温升、而不会在 环境温度为 85°C 时太接近 150°C。  我假设您可能一直在驱动螺线管近 1 秒、这会使器件更接近热关断温度。

我与我的团队一起检查了原理图中 VBAT 上的大容量电容  对于被驱动的电流来说似乎有点小、这可能导致 VM 上升到绝对最大额定值以上、从而导致损坏。 根据经验、我们通常建议每瓦 1uF、因此对于 25.2V 的电池和螺线管、我们建议使用高于~280uF 的大容量电容。 如果电路板未损坏、能否为 VM 提供~8V 电压以使电流约为 3A、从而避免损坏新器件并捕获 OUT1、OUT2、VM 和输出电流？ 我们要检查滑行状态期间 VM 是否上升、我们需要观察 OUTx 引脚上的高侧 FET 体二极管导通。

此致、

Joshua

您好：

连接的是单个脉冲。 通道 1 是输出电流、使用 680Ω 电阻器通过 IPROPI 引脚捕获、计算峰值电流为~3.5A。 通道 2 是 OUT1、通道 3 是 OUT2、通道 4 是 VM。

下面是 VM 进入滑行状态时的特写。 它在右侧似乎已达到稳定状态。

请告诉我是否有任何其他意见会有帮助。

谢谢、

Brad

尊敬的 Brad：

我将与我的团队一起审查这些信息、我的目标是明天提供回应。

此致、

Joshua

尊敬的 Brad：

从捕获结果中可以看出、输出和电流看起来正常、但 VM 振荡、而不是此电流的问题。 您能否在 VM 节点上放置更多大容量电容来帮助稳定 VM？

我想积极地反向驱动电磁阀、直到电流充分衰减、应该可以作为一个修复、而无需更改电路。 这听起来是否合理？

这应该有助于减少热生成。 尽管问题是由于 VM 泵回导致的、但器件可能会受到损坏、因此如果您测试此情况、我建议在测试期间至少密切关注 VM 电压。

如果您最终执行另一项测试、是否可以捕获 VM 和负载电流？ 这将有助于缩小导致负载损坏的原因。  

此致、

Joshua