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https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1557475/drv8300u-boot-diode-specifications
工具/软件：
您好：
您能否提供有关 DRV8300U 中集成自举二极管的具体信息？
具体在数据表中、它规定了限制电容高于 1uF 的电流。
谢谢 Keith
嗨、Keith、
怎么回事？
自举电容器充电电流将从 GVDD 经过自举二极管。 此器件的设计旨在确保不需要使用最高 1uf BST 电容器限制流经二极管的电流。 我的问题是、客户是否计划使用超过 1uf 的每个 BST 帽、如果是、动机是什么？ （使用的是什么 MOSFET？）
此致、 Akshay
尊敬的 Akshay：
我们项目的要求之一是能够使高侧 FET 保持导通 50ms。 我们已经测试了自举保持时间、如果电容为 10uF、我们可以在自举 UVLO 处于活动状态之前使 FET 保持导通状态 37.85ms。 但是、根据我运行的一些数字、10uF 应该能够使高侧 FET 保持更长的导通时间。
什么是您的应用程序,在哪里你需要 50 毫秒的时间?
我将查看该电子邮件并做出回复。
此致、
Akshay
