请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：DRV8351-SEP工具/软件：
尊敬的 TI 支持部门：
我计划 在降压驱动器配置中将 DRV8351-SEP 用作两个 NMOS-MOSFET (DMN1017UCP3-7、V_GS (th) 为 1.2V) 的栅极驱动器。 高侧 MOSFET 的漏极电压介于 0.5V 和 4.6V 之间、G_VDD 为 5V。 我有一个工作频率为 350kHz 的输入 PWM 信号（高电平+低电平）。 就我了解内部电路而言（如果我有误，请纠正我）、此栅极驱动器会将电压泵至 (0.5V...4.6V)+ 5V - 0.85V、由于存在~4V 失调电压、从而使 NMOS 在输入（漏极）电压范围内正常运行。
但是、当将这些值代入数据表中的公式 (1) 时、可以得到“自举电容器允许的压降“为负值：
Δ V_BST = V_GVDD - V_BOOTD - V_BSTUV ΔV
= 5V - 0.85V - 4.5V =–0.35V。
如果我 在公式 (3) 中插入这个负值、则会得到一个负电容、这对我来说似乎是不合理的。 我是否有误解？ 或者栅极驱动器是否无法按我想的方式工作、并且不适合所设想的任务？ 在这种情况下、我还应该使用什么来确保（仅在提供 5V 和 28V 电源轨的情况下）和一个工作频率为 350kHz 的 3V3 逻辑输入信号、使 MOSFET 按预期完全打开？
感谢您的回答。
