主题中讨论的其他器件:DRV8332、DRV8313 、DRV8376
工具/软件:
您好:
我想知道 DRV8312 和 DRV8332 之间是否有关键的内部差异? 我知道封装不同、因此功率/热额定值不同、但所有其他内部电路是否等效? 我特别 感兴趣的是内部 FET 驱动器是否等效? 我希望将 DRV8332 上收集的辐射数据应用于 DRV8312。
谢谢!
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您好:
我想知道 DRV8312 和 DRV8332 之间是否有关键的内部差异? 我知道封装不同、因此功率/热额定值不同、但所有其他内部电路是否等效? 我特别 感兴趣的是内部 FET 驱动器是否等效? 我希望将 DRV8332 上收集的辐射数据应用于 DRV8312。
谢谢!
尊敬的 Julie:
要回答您的问题、器件之间的差异将是封装、特别是散热焊盘的存在与散热片的存在。
对于内部运行和 MOSFET 功率级、它们应相同。
但是、我想知道、为什么您选择这些器件来收集数据? 这些驱动器的最终应用是什么?
我之所以问这个问题、是因为这些是我们用过的最早的 BLDC 电机驱动器、并且我们拥有更现代、更高效的器件、这些器件可能更易于使用且更高效。
谢谢您、
Joseph
尊敬的 Julie:
感谢您提供更多信息。 DRV8376 是我们提供的更新器件、我推荐它。 (支持 48V 系统、集成式 MOSFET,似乎是您的要求)
https://www.ti.com/product/DRV8376
是否也对 PCB 进行了返工、以更大限度地减少电路板上的发射? 根据我对 EMI 测试的经验、我假设问题根源与开关速度/压摆率/瞬态/PCB 参数有关、而不是与 DRV 器件本身有关。
谢谢您、
Joseph