[参考译文] DRV8329-Q1：电源管理

您好：

我知道在 3.3V 电源轨上放置额外的电容是不切实际的。  

但我想问、栅极驱动器电源电压上是否有足够的电容？ 如果您可以增加此处的电容、则电源骤降将减少、因此 3.3V 电源轨也将下降较少。

请告诉我是否可以在驱动器电源上增加更多电容、看看它是否有助于减少 3.3 上的骤降

谢谢您、

Joseph

您好、Joseph

感谢您的答复

我认为我有足够的电容来承受栅极驱动器电源电压

栅极驱动器电源电压为 PVDD、同一节点 VFET 为 MOSFET 漏极电压

我们有 270 μ F * 3eA + 47 μ F * 1ea 电容器、 我们考虑通过使用二极管将 VFET 和 PVDD 节点分开

您能给我您的意见电容值和单独的节点 (VFET 和 PVDD) 吗？

祝你度过美好的一天

谢谢你

您好：

感谢您的更新。 您是否能提供更多信息、以便我继续调试？

1.您能否提供原理图,包括您正在探测的位置的标记位置,以及电容值和电容额定电压

2.您能描述您正在执行的相位到接地短路测试吗? 我现在想、如果高侧 MOSFET 关断、VBAT 如何受相位至 GND 短路的影响。

谢谢您、

Joseph

另一种选择是缩短相位至 GND 短路测试的持续时间、以便电容器可以支持瞬态。 DRV 器件在这里不是问题、因为操作没有问题。 该测试只是短接 Vbat 导致此处的问题。

你好

感谢您的答复

我回答你的问题

1.我想我会分享原理图,如何分享你?

 - 47uF/35V *1ea 270uF/35V  *3eA.

2、相位接地短路测试是客户的要求。
在高侧与 GND 短路的情况下、我们的应用必须停止运行；因此、必须进行此故障诊断测试。

测试条件： BAT、IGN = 12V/电机运行期间、相位与 GND 短路。

• 会检测到故障、但由于 MCU 复位且故障计数器已初始化、因此无法进行故障确认。

目前、我们正在考虑更改的选项 VDSLVL 数据值。

• 当前设置：3.3V× 1k /(5.1k + 1k)= 0.541V

3.此外,我想听取你对分离的方法的意见 VFET 和 PVDD 多路复用节点。

最好的考虑

共享 PVDD 和 AVDD SCH

您好：

您不需要在此处更改 VDS_LVL 值、因为器件已在短路情况下识别故障。  

问题是您的电源电压下降得过低、这会导致器件断电并导致 3.3V 电源关断。 这不是器件识别故障的问题、因此您不需要更改 VDS_LVL

要解决此问题、必须防止 VBAT 下降。

对于二极管、通常不建议用一个二极管将 VDRAIN 和 PVDD 分开。 这是因为有时会阻止回流到电源、这可能导致系统中出现大的瞬态尖峰、从而损坏其他器件。

谢谢您、

Joseph

你好

感谢您抽出宝贵的时间

嗯、您不建议针对单独的 VDRAIN 和 PVDD 使用二极管

如何解决这个问题？？ 您推荐任何想法吗？

谢谢你

您好：

对于 DRV8329 器件、您不需要将 PVDD 和 VDrain 分开。

1.应尝试增加器件 (C8) 附近 PVDD 上的局部电容。 这可能有助于使器件保持足够长的供电时间、以便报告故障并保持通电状态。  

2.您可以尝试降低 VDS LVL 以尝试更早地检测故障。

1 和 2 的组合可能有助于解决您的问题。 请告诉我、如果您可以尝试、但它不起作用。

谢谢您、

Joseph