[参考译文] DRV8300-Q1：DRV8300DRGE 问题

您好：

1.是的、DRV8300 应能够同时驱动 3 个 MOSFET。 不过、该器件确实提供了保护功能、以防止同一相位的 INHx 和 INLx 同时导通。

2.您可以更改外部栅极电阻器的阻值、以限制 MOSFET 的驱动电流并提高电路的可配置性。 10 欧姆是合理值。

3. GVDD 通常为 10-12V。 这不需要增加

4.  并联驱动多个 MOSFET 时要考虑的主要问题是确保该器件能够提供足够的驱动电流来导通全部 3 个 MOSFET。 （查看 MOSFET 的 Qgd 和 Qtotal）

5.我检查了原理图。 它看起来很好。 同样、只需确保 MOSFET Qg 总值不会过高、无法由驱动器供电、因为一次有 3 个值。 这个驱动器可以提供 750mA、因此只要您的 MOSFET 不是很大、它就应该能够处理。 如果电流过大、您甚至可能需要操纵栅极电阻器来限制电流。

谢谢、

Joseph