• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 5 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 12 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] DRV8263-Q1：POB 机制查询

admin
Guru**** 2589245 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8263-Q1, DRV8714-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1576182/drv8263-q1-pob-mechanism-inquiry

器件型号：DRV8263-Q1
主题中讨论的其他器件： DRV8714-Q1

工具/软件：

尊敬的 TI 专家：

 

我不熟悉 POB 的行为、希望您能帮助我澄清以下问题：

 

1、根据“7.3.4.9 断电制动 (POB)“、如果电源电压大于  VVMOV_POB (60V-69V)  如果输出节点的电压上升到高于电源电压超过  VPOB_TH (580mV) 、器件将打开两个低侧 MOSFET。

因此...必须触发这两个条件、否则 LS FET  不会 导通？

这意味着反电动势期间的 OUT1/2 引脚电压将上升到至少 60.xV？

此外、当它进入 POB 保护时、IC 如何判断何时关断 LS MOSFET？ 只需监测电压是否低于  VPOB_TH (580mV)？  

 

 

2.关于 VSD（体二极管正向电压）, DS 标记 IO=–4A,请问它的定义?

是指流经体二极管的电流或 OUT1/2 引脚上的源电流？

 

3.假设 IC 在  低功耗睡眠模式  或  当电桥禁用 (Hi-Z )、当我们在电机上增加额外的力时、  在  触发 POB 保护之前的这段时间内的电流波形是多少？

=>示例： 完全打开后按下主干、在窗口已经停止时强制关闭、就像这样。

由于所有 MOSFET 都处于 Hi-Z 模式、因此推动电机意味着它将产生反电动势。

但电流应该没有导电路径、因此我对这一部分感到非常困惑。

 

4.另一个问题与活动模式下的 OCP 有关,当发生 OCP 时,所有 MOSFET 将进入高阻态模式。

由于我们关断所有 MOSFET、因此会产生反电动势、电压可能高于 VIN/VM、因此我认为电流将像这样通过体二极管。

但是、当反电势电压（OUT1/2 引脚）低于 VM+VBD 时、这意味着没有其他路径来释放电感器/电机的剩余能量、我们只能等待电机放电、或者在此期间 IC 有其他机制来释放剩余能量？

 

期待您的答复。

谢谢你。

  • 0
    TI__Guru**** 2589245 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Evan：

    [引用 userid=“469976" url="“ url="~“~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1576182/drv8263-q1-pob 机制查询“]

    1、根据“7.3.4.9 断电制动 (POB)“、如果电源电压大于  VVMOV_POB (60V-69V)  如果输出节点的电压上升到高于电源电压超过  VPOB_TH (580mV) 、器件将打开两个低侧 MOSFET。

    因此...必须触发这两个条件、否则 LS FET  不会 导通？

    这意味着反电动势期间的 OUT1/2 引脚电压将上升到至少 60.xV？

    [/报价]

    正确、POB 必须满足这两个条件才能启用两个 LS-FET、否则 FET 不会导通。 我被告知这样做是为了确保 VM 泵是由手动驱动的电机引起的。 例如、如果存在 VM 到 OUT 短路且 VM 已经高于 VM_OV_POB、则导通 LS FET 将损坏器件。

    还更正了 OUT1/2 电压将升至 60mm 以上。下面是显示 POB 在 H 桥配置负载下有效的捕获：

    另外、当它进入 POB 保护时、IC 如何判断何时关闭 LS MOSFET？ 只需监测电压是否低于  VPOB_TH (580mV)？  [/报价]

    tPOB_ON 是如果 POB 启用低侧 FET、则低侧 FET 将导通的时间。

    [引用 userid=“469976" url="“ url="~“~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1576182/drv8263-q1-pob 机制查询“]

    2.关于 VSD（体二极管正向电压）, DS 标记 IO=–4A,请问它的定义?

    是指流经体二极管的电流或 OUT1/2 引脚上的源电流？

    [/报价]

    这是测试条件、因此这是进行此测量时施加在 OUTx 上的电流源表中的电流。

    [引用 userid=“469976" url="“ url="~“~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1576182/drv8263-q1-pob 机制查询“]

    3.假设 IC 在  低功耗睡眠模式  或  当电桥禁用 (Hi-Z )、当我们在电机上增加额外的力时、  在  触发 POB 保护之前的这段时间内的电流波形是多少？

    =>示例： 完全打开后按下主干、在窗口已经停止时强制关闭、就像这样。

    由于所有 MOSFET 都处于 Hi-Z 模式、因此推动电机意味着它将产生反电动势。

    但电流应该没有导电路径、因此我对这一部分感到非常困惑。

    [/报价]

    电流路径通过低侧和高侧 MOSFET 的体 FET 二极管。 电机电流将在一个时刻（取决于电机）流经漏电路径、但这是一个 非常小的电流、因此主路径将通过低侧和高侧体二极管。

    但当反电动势电压（OUT1/2 引脚）低于 VM+VBD 时、这意味着没有其他路径来释放电感器/电机的剩余能量、我们只能等待电机放电、或者 IC 在此期间有其他机制来释放剩余能量？

    当 FET 变为 Hi-Z 时、电流路径将通过体二极管。 在我们的器件中、体 FET 二极管被设计为吸收与 MOSFET 相同的电流。

    此致、

    Joshua

    [/quote]
  • 0
    TI__Guru**** 2589245 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Joshua、

    感谢您的反馈。

    1.在项目 1 中、如果 VM 侧的 KL30 应该是 12V。 如果我们必须实现两者  VVMOV_POB (60V-69V) 和 VPOB_TH (580mV)  则 VIN 侧已损坏... 这可能不符合实际的用户场景。

    另外、关于您所附的波形、我相信您使用的是 60V VM (CH1)、因为它更容易解释这种现象、但我认为我们在设计中不会使用 60V 作为输入。

    您能否进一步澄清这一点？

    2.关于  tPOB_ON 检测到 POB 后、两个 LS MOSFET 将接通 20 μ s、然后自动关闭吗？ 我只是想确保我的理解是正确的。  

    如果是、如果 POB 条件仍然被触发、两个 LS MOSFET 在达到 20us 后是否仍会关断？ 或者 IC 将在整个时间内监控 POB 条件（只要是）  VVMOV_POB (60V-69V) 和 VPOB_TH (580mV)  仍然被触发、两个 LS MOSFET 都将保持导通状态？

    还有、定义是什么  tPOB_RETRY ？

     

    3.关于电流限制行为、由于所有 MSOFET 都将立即关闭、那么我们是否会在 OUT1/OUT2 上看到另一个反电动势、从而再次触发 POB 条件（从 ACTIVE -> Hi-Z State）？

    实际上、电流会首先通过体二极管到达 VM 或 GND、但当 MOSFET 突然关断时、我们担心 VM 侧是否会出现电压尖峰。

    在这种情况下、我们可能需要在 VM 侧使用 TVS 或更大的 CIN 电容器。

    以及我们如何设计输入电容器、您是否有关于这方面的任何指导原则。

    期待您的答复。

    谢谢你。

  • 0
    TI__Guru**** 2589245 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Evan：

    对于波形、 提供这是 为了表明 POB 正常运行。 在此测试中、VM 设置为 67V、 在 OUT1 和 OUT2 之间连接了一个电流源、设置为强制 10mA、限制为 69V。 这样做是专门为了简化 POB 触发、而无需使用电机来实际生成触发 POB 所需的高反电动势、这就是我们的验证团队使用的过程。

    在项目 1 中、如果 VM 端的 pob 应该是 12V。 如果我们必须实现两者  VVMOV_POB (60V-69V) 和 VPOB_TH (580mV)  则 VIN 侧已损坏... 这可能不符合实际的用户方案。

    如果我没有正确回答此问题、以便了解 VIN 的位置、能否提供此情景的大致图？

    如果 VIN 为 VM、当触发 POB 时、VM 将最大为 69V、OUT1 或 OUT2 上的电压将~VM+580mV、仍低于引脚绝对最大电压 71V、因此器件不应损坏。

    对于问题 2：

    我需要仔细检查这一点、但我认为只要 满足两个 POB 条件、低侧 FET 就会以占空比驱动。  

    tPOB_RETRY：  这 是 器件在发生 OCP 事件时禁用 POB 并向半桥高阻态的时间。 此 tPOB_RETRY 结束后、POB 可以再次导通低侧 FET。

    对于问题 3：

    我需要进行检查、我认为即使在 POB 开启期间没有发生 OCP 事件、也会阻止 POB 在 tPOB_RETRY 时间内启用。 对于大容量电容指导、经验法则为每瓦 1 μ F 至 4 μ F、但有关根据系统要求选择大容量电容的更多信息、请参阅此 应用手册：适用于直流电机驱动应用的大容量电容器的大小确定

    此致、

    Joshua

  • 0
    TI__Guru**** 2589245 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Joshua、

    感谢分享。

    下面的简图显示了 12V 系统（9V~16V 范围）、因此 VM 的典型值为 12V。

    => VM 侧的源极可以是降压控制器的输出或 I 交易 d. IODE C 控制器的输出。

    当反电动势发生在 OUT1/2 上时、VM 可能会高达 6xV 并损坏降压转换器或  I 交易  d. IODE  C 主计长。

    因此、如果在我们的场景中可能发生 POB、我们想知道 DRV8263-Q1 是否仍然适用于 12V 系统。

    如果没有、您能否进一步相应地推荐另一款器件？

    谢谢你。

  • 0
    TI__Guru**** 2589245 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Evan：

    感谢您的解释、由于存在此问题、我认为 DRV8263 不适用于此系统、那么 DRV8263-Q1 是针对 48V 系统设计的、并在假设 VM 电源也是 48V 系统的一部分的情况下设置其 POB 阈值。 如果选择 DRV8263-Q1 而不是 DRV824x-Q1 系列器件的主要目的是使用 POB 功能、那么我建议切换回其中一个 DRV824x-Q1 器件（基于驱动的电流）并使用外部元件实现 POB 功能。  

    实现 POB 的另一种解决方案是 DRV8714-Q1、该解决方案的缺点是 DRV8714-Q1 是一款外部 FET 驱动器。 DRV8714 的 POB VM 阈值为~30.5V、但该器件也有几种方法可以设置更高或更低的外部限值。  

    此致、

    Joshua