[参考译文] DRV8263-Q1：POB 机制查询

您好、Joshua、

感谢您的反馈。

1.在项目 1 中、如果 VM 侧的 KL30 应该是 12V。 如果我们必须实现两者  VVMOV_POB (60V-69V) 和 VPOB_TH (580mV)  则 VIN 侧已损坏... 这可能不符合实际的用户场景。

另外、关于您所附的波形、我相信您使用的是 60V VM (CH1)、因为它更容易解释这种现象、但我认为我们在设计中不会使用 60V 作为输入。

您能否进一步澄清这一点？

2.关于  tPOB_ON 检测到 POB 后、两个 LS MOSFET 将接通 20 μ s、然后自动关闭吗？ 我只是想确保我的理解是正确的。  

如果是、如果 POB 条件仍然被触发、两个 LS MOSFET 在达到 20us 后是否仍会关断？ 或者 IC 将在整个时间内监控 POB 条件（只要是）  VVMOV_POB (60V-69V) 和 VPOB_TH (580mV)  仍然被触发、两个 LS MOSFET 都将保持导通状态？

还有、定义是什么  tPOB_RETRY ？

3.关于电流限制行为、由于所有 MSOFET 都将立即关闭、那么我们是否会在 OUT1/OUT2 上看到另一个反电动势、从而再次触发 POB 条件（从 ACTIVE -> Hi-Z State）？

实际上、电流会首先通过体二极管到达 VM 或 GND、但当 MOSFET 突然关断时、我们担心 VM 侧是否会出现电压尖峰。

在这种情况下、我们可能需要在 VM 侧使用 TVS 或更大的 CIN 电容器。

以及我们如何设计输入电容器、您是否有关于这方面的任何指导原则。

期待您的答复。

谢谢你。

尊敬的 Evan：

对于波形、 提供这是 为了表明 POB 正常运行。 在此测试中、VM 设置为 67V、 在 OUT1 和 OUT2 之间连接了一个电流源、设置为强制 10mA、限制为 69V。 这样做是专门为了简化 POB 触发、而无需使用电机来实际生成触发 POB 所需的高反电动势、这就是我们的验证团队使用的过程。

在项目 1 中、如果 VM 端的 pob 应该是 12V。 如果我们必须实现两者  VVMOV_POB (60V-69V) 和 VPOB_TH (580mV)  则 VIN 侧已损坏... 这可能不符合实际的用户方案。

如果我没有正确回答此问题、以便了解 VIN 的位置、能否提供此情景的大致图？

如果 VIN 为 VM、当触发 POB 时、VM 将最大为 69V、OUT1 或 OUT2 上的电压将~VM+580mV、仍低于引脚绝对最大电压 71V、因此器件不应损坏。

对于问题 2：

我需要仔细检查这一点、但我认为只要 满足两个 POB 条件、低侧 FET 就会以占空比驱动。  

tPOB_RETRY：  这 是 器件在发生 OCP 事件时禁用 POB 并向半桥高阻态的时间。 此 tPOB_RETRY 结束后、POB 可以再次导通低侧 FET。

对于问题 3：

我需要进行检查、我认为即使在 POB 开启期间没有发生 OCP 事件、也会阻止 POB 在 tPOB_RETRY 时间内启用。 对于大容量电容指导、经验法则为每瓦 1 μ F 至 4 μ F、但有关根据系统要求选择大容量电容的更多信息、请参阅此 应用手册：适用于直流电机驱动应用的大容量电容器的大小确定

此致、

Joshua

您好、Joshua、

感谢分享。

下面的简图显示了 12V 系统（9V~16V 范围）、因此 VM 的典型值为 12V。

=> VM 侧的源极可以是降压控制器的输出或 I 交易 d. IODE C 控制器的输出。

当反电动势发生在 OUT1/2 上时、VM 可能会高达 6xV 并损坏降压转换器或  I 交易  d. IODE  C 主计长。

因此、如果在我们的场景中可能发生 POB、我们想知道 DRV8263-Q1 是否仍然适用于 12V 系统。

如果没有、您能否进一步相应地推荐另一款器件？

谢谢你。